计算化学公社

标题: 计算功函数的参数应该用LVHAR还是LVTOT？ [打印本页]

作者
Author: yaoyuan0711 时间: 2026-1-31 10:05
标题: 计算功函数的参数应该用LVHAR还是LVTOT？
各位老师好，我在计算NiO（101）晶面的功函数，应该用什么参数控制生成LOCPOT文件？vaspkit教程给的是LVHAR = .TRUE.。但有些教程说LVHAR仅是Hartree势，LVTOT = .TRUE. 才是总静电势。

VASP版本是5.4.4。

作者
Author: Qilin 时间: 5 day ago
看手册：https://www.vasp.at/wiki/Computing_the_work_function

步骤 1：确保所选结构在垂直于表面的方向上具有足够大的无原子区域（即无电荷密度和无场区域）。一个好的经验法则是将原子置于晶胞中心，并在该方向上两侧留出 8–12 Å 的真空层。

警告：真空区域不够大会导致真空区域内产生电场，从而导致真空势的值不准确（见第 3 点）。

步骤 2：进行基态 DFT 计算。我们建议设置 PREC=Accurate。如果您的晶胞具有净偶极矩（即，它不沿表面法线方向对称），我们建议使用以下 INCAR 标签启用偶极校正：LDIPOL、IDIPOL、DIPOL。使用偶极校正对于在势能曲线中获得平坦的无场区域至关重要（参见下一点）。除了这些标签之外，设置 LVHAR=T 以仅将 Hartree 势和离子势输出到 LOCPOT 文件，或者设置 WRT_POTENTIAL=hartree ionic 以将势能存储在 vaspout.h5 文件中。

提示：我们建议仅使用哈特里势和离子势，因为交换关联势在真空区域衰减非常缓慢。使用哈特里势和离子势之和可以显著降低真空要求（从而降低计算成本），进而确定功函数。

步骤 3：计算真空势。沿表面晶格矢量方向（即垂直于表面法线的两个方向），对 LOCPOT 或 vaspout.h5 文件中的 /results/potential/hartree 和 /results/potential/ionic 数据集的内容进行平均。通过确定势能保持不变的空间区域来找到无场区域。该势能值即为真空势。

提示：存在两个真空势能区域，分别对应表面法线的两个方向。根据你的系统，其中一个方向可能比另一个方向更重要。

步骤 3b：或者，您也可以在 INCAR 文件中设置 LVACPOTAV=T，VASP 可以计算真空势。然后，您可以使用 grep 命令在 OUTCAR 文件中查找输出结果。

grep upper OUTCAR

复制代码

输出结果如下：

vacuum level on the upper side and lower side of the slab 8.049 7.778

复制代码

步骤 4：确定费米能级。费米能级直接写入 OUTCAR 文件。在 OUTCAR 文件中搜索以下几行，即可获得以 eV 为单位的费米能级。

grep "Fermi energy" OUTCAR

复制代码

考虑一个吸附在 fcc-Pt(111) 表面上的碳原子。底面和顶面并不完全相同：一个表面洁净，另一个表面吸附有碳。由于该系统具有净偶极矩，我们需要在计算中使用偶极修正。该系统的 INCAR 文件示例如下：

LDIPOL = T
IDIPOL = 3
DIPOL = 0.5 0.5 0.5
LVHAR = T
PREC = Accurate

复制代码

作者
Author: yaoyuan0711 时间: 4 day ago

Qilin 发表于 2026-4-8 19:35
看手册：https://www.vasp.at/wiki/Computing_the_work_function

步骤 1：确保所选结构在垂直于表面的方 ...

好的，谢谢您了

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