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标题: 优化后结构散了，NH2与NO（NO)共同存在表面时 [打印本页]

作者
Author: 章鱼哥 时间: 2026-3-9 16:42
标题: 优化后结构散了，NH2与NO（NO)共同存在表面时
本帖最后由章鱼哥于 2026-3-9 16:47 编辑

在CeO2掺杂W的结构中，构建中间体NH2*和NO（g）分开的结构时，优化多次不成功。我设置的原子距离如图中所示。我依照文献中大概的距离操作的，没看到文献中有具体的NO（g）距离表面的影响。

具体出现的错误如下：

1.每次优化这个中间体结构都会出现不同程度的散，如图所示。

2.原子的位置优化后移动，N原子跑到下面，如图所示。

想请教一下大家，为什么会出现这种情况，应该怎么解决这个问题？

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作者
Author: 白皛白 时间: 2026-3-10 10:14
本帖最后由白皛白于 2026-3-10 10:20 编辑

从个人经验来讲，这种小分子在真空层中的结构完全relax的话，的确是很难优化出来的。可能是因为NO吸附在表面上是能量更低，而从NO+*→*NO这个过程又往往是无能垒的，所以很容易在结构优化过程中自发地跑过去。跑到“下面”去实际上是往上跑，到另一个周期性结构的下表面去了。楼主您目前使用的3埃这个距离不是化学键的距离，但是很难确定能否可以避免NO与表面间的弱相互作用，出现这种情况很可能是这个原因。
个人给出几点建议，楼主可以尝试一下。
1，真空层加大，目测目前的真空层是10埃左右的样子，加到15埃然后把NO放的更远(距离上下表面都有7~8埃的距离)，问题或许会解决。
2，限制性优化，NO提前优化好，放进去以后就固定NO的Z轴坐标。距离表面够远(实际上也是7-8埃左右，从经验来看这个距离一般可以避免任何相互作用)的话也是合理的。
示范1的例子，个人感觉可能不是错误，因为*NH2桥位吸附在Ce上是可能导致N-H键高度活化的，这样NO夺走*NH2的H是合理的。这里建议楼主一步一步来。先把吸附NH2的例子优化好，再尝试如上述两个建议这样添加NO。

作者
Author: 章鱼哥 时间: 2026-3-11 16:01

白皛白发表于 2026-3-10 10:14
从个人经验来讲，这种小分子在真空层中的结构完全relax的话，的确是很难优化出来的。可能是因为NO吸附在表 ...

谢谢您的回复，您预测的没问题，上面的真空层大概是10多埃，没到15埃，由于我计算的是过渡态，统一用的都是一个标准，所以没有增大埃。我按照您的建议，把NO优化了再放上去，上下留出了大概5埃到6埃左右，并且我把NH2与表面作为一个整体优化了一遍。提交了结果，得到的CONTCAR没问题。不会变形，结构没散，非常感谢您的建议！！！

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