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标题: 求助，用Gaussian对同一结构计算单点能，采用两种不同计算方式，但结果差距极大？ [打印本页]

作者
Author: HexSona 时间: 2026-3-12 17:47
标题: 求助，用Gaussian对同一结构计算单点能，采用两种不同计算方式，但结果差距极大？
本人在PBE0/def2SVP（对Cu采用SDD基组）方法下对该结构进行几何优化，然后读取其波函数，在M06-2X/def2TZVP方法下计算其单点能，计算结果为 -5363.56797009 Hartree。由于上述计算单点能的过程中收敛缓慢，出于好奇，本人也尝试了保存其最后一帧结构，先在M06-2X/def2SVP方法下计算其单点能，然后读取其波函数，在M06-2X/def2TZVP方法下计算其单点能，计算结果为 -5363.70020560 Hartree。为什么会有如此大的差距？两种计算方式的log文件均已上传
这个结构为二价铜离子分别于2个三幅甲磺酸根离子、1个二噁唑啉配体、一个—NTs（对甲基苯磺酰胺基）配位而得的结构，电荷为0，自旋多重度为2

作者
Author: HexSona 时间: 2026-3-12 17:49
两种计算方式的log文件

作者
Author: fewmaster 时间: 2026-3-13 01:05
1.收敛到了不同的波函数，看自旋布居可知。
造成的原因是你用赝势基组的波函数当初猜给全电子基组计算用。

http://bbs.keinsci.com/forum.php ... 4%D0%FD%B2%BC%BE%D3

2.M06-2X算过渡金属配合物不合适。

http://bbs.keinsci.com/thread-57977-1-1.html

作者
Author: aaq2800 时间: 2026-3-14 08:49
不同方法比较绝对能量，没多大意义

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