文献(DOI: 10.1039/d5qo01741f)中使用的方法是SMD(ethanol)-B3LYP-D3(BJ)/6-311G(d,p)//SMD (ethanol)-B3LYP/6-311G(d,p),我为了节约机时,使用的是基组是6-31G(d,p),结构优化和频率计算加了溶剂,没加色散,计算单点能加了色散和溶剂,都是按照文献的方法来的。使用的是SI中给的C2-3和D3-3坐标(此坐标SI声称其是根据过渡态IRC跑出来的基态坐标),使用Shermo程序计算热力学能,相关设置见图。严格按照文献里的温度设定,用的6-31G(d,p)的频率校正因子,只改ZPE一个和四个都改的我都试了,ilowfreq=1,2,3都试了一遍,计算出来C2-3和D3-3的相对自由能一直是40-50kJ/mol,即便使用的基组小一点,也不至于能相差这么大啊,实在不能确定是什么原因导致的 (, 下载次数 Times of downloads: 0)
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作者Author: wzkchem5 时间: 2 hour ago
如果想排除基组大小的问题,但是大基组opt freq算不动,可以用大基组opt freq算单点。大基组和小基组的大部分区别都在单点能里。
对于BSSE很严重的体系,基组差一点能量差很多是很有可能的,我之前算过两个大共轭配体的金属配合物面对面成键的键能,def2-SVP比def2-TZVP大30kcal/mol