文献(DOI: 10.1039/d5qo01741f)中使用的方法是SMD(ethanol)-B3LYP-D3(BJ)/6-311G(d,p)//SMD (ethanol)-B3LYP/6-311G(d,p)，我为了节约机时，使用的是基组是6-31G(d,p)，结构优化和频率计算加了溶剂，没加色散，计算单点能加了色散和溶剂，都是按照文献的方法来的。使用的是SI中给的C2-3和D3-3坐标（此坐标SI声称其是根据过渡态IRC跑出来的基态坐标），使用Shermo程序计算热力学能，相关设置见图。严格按照文献里的温度设定，用的6-31G(d,p)的频率校正因子，只改ZPE一个和四个都改的我都试了，ilowfreq=1，2，3都试了一遍，计算出来C2-3和D3-3的相对自由能一直是40-50kJ/mol，即便使用的基组小一点，也不至于能相差这么大啊，实在不能确定是什么原因导致的 (, 下载次数 Times of downloads: 78)