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标题: VASP表面断键结构优化求助 [打印本页]

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GHR1111    时间: 3 hour ago
标题: VASP表面断键结构优化求助
本帖最后由 GHR1111 于 2026-5-12 11:27 编辑

各位老师好!我想计算一个在层状氧化物表面有机小分子先吸附再脱F的一个过程,层状氧化物表面我删掉了2个O制造了O空位,我希望脱掉的F能进入O空位,POSCAR是在优化好的吸附构型的基础上,我人为的断掉CF键,将F放到O空位上,然后把fec剩余的部分调转了一个方向(我不希望优化完CF键又连上了),基于以上构型进行一个初步的结构优化(先不给Mn加dftu,初步优化完后再进行加dftu的优化),发现结构优化完CF键又会连回去,我初步猜想,是不是人为断CF键后,fec的F和剩余部分会带上正负电荷,即使把他俩摆的距离分开,正负电荷相互吸引还是会回去?我想请教如果我想计算fec在表面脱F的结构,我的输入文件是否要做相应的修改? (, 下载次数 Times of downloads: 0)

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