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标题: 【求助】为什么在硅羟基巢中的氮取代能大于在Si-O-Si上的氮取代能？ [打印本页]

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Author: dudangman 时间: yesterday 22:43
标题: 【求助】为什么在硅羟基巢中的氮取代能大于在Si-O-Si上的氮取代能？

我想用VASP计算氮取代能，这是我的INCAR参数，算出来的结果和理论上（在硅羟基巢中进行氮取代，替代能应该更小）相反，我不知道哪里出现了错误，想请教一下大家，谢谢。
SYSTEM = opt
NWRITE = 1
ISTART = 0
ICHARG = 2
LWAVE = .FALSE.
LCHARG = .FALSE.
NCORE = 32
ENCUT = 400
EDIFF = 1E-5
EDIFFG = -0.05
#PREC = Accurate
ISPIN = 1
GGA = PE
NSW  = 500
IBRION = 2
ISIF = 2
ISYM = 0
POTIM  = 0.3
ISMEAR =  0
SIGMA  =  0.1
IALGO  = 48
LREAL  =  Auto
IVDW = 12

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