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标题: 用TD双杂化或STEOM-CCSD计算荧光发射能应该用S0结构做opt还是用S1结构做单点能运算 [打印本页]

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Author: 曹丽佳 时间: 2026-6-29 19:21
标题: 用TD双杂化或STEOM-CCSD计算荧光发射能应该用S0结构做opt还是用S1结构做单点能运算
各位老师，请问一下：用TD双杂化或STEOM-CCSD计算荧光发射能应该用S0结构做opt还是用S1结构做单点能运算?
计算思路如下：

先使用Gaussian进行基态S0、激发态S1或S2（目标激发态，以下统一记为Sn）的分子结构优化，得到S0和Sn的极小点分子结构文件。
计算荧光发射能时，采用LR-TDDFT方法，是取1.中做opt优化Sn结构输出文件中最后一次S0-S1的激发能，作为荧光发射能。

问题：需要基于LR模型，比较TD-双杂化和DLPNO-STEOM-CCSD方法计算得到的荧光发射能，及绝热激发能。
①. 在ORCA中，基于DLPNO-STEOM-CCSD方法计算荧光发射时，是不是直接用Gaussian基于TDDFT方法优化出来的激发态极小点结构文件然后做单点能运算，而不是用基态S0的极小点结构文件做opt优化？
②. 在ORCA中，基于TD-双杂化做荧光发射能的计算，应该还是保持基于基态S0的极小点分子结构文件做opt运算，得到最后一次激发能作为荧光发射能吗？

非常感谢各位老师们的指正和不吝赐教！

作者
Author: sobereva 时间: 2026-6-30 03:27
先用TDDFT结合合适的泛函优化出发射态的极小点结构，然后用更高精度的方法算荧光垂直发射能

作者
Author: 曹丽佳 时间: 2026-7-4 10:39

sobereva 发表于 2026-6-30 03:27
先用TDDFT结合合适的泛函优化出发射态的极小点结构，然后用更高精度的方法算荧光垂直发射能

好的，老师，现在明白啦，非常感谢老师的指正！

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