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标题: CHDA在NbOPO4表面的吸附能数值过大改如何解决 [打印本页]

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Author: Dempey 时间: 6 hour ago
标题: CHDA在NbOPO4表面的吸附能数值过大改如何解决
本帖最后由 Dempey 于 2026-8-13 11:17 编辑

我在计算顺式-1,4-环己烷二甲酸(cis-CHDA)在NbOPO4(100)表面上的吸附能时发现得到的吸附能为-12 eV，这似乎有些太大了，应该怎么解决呢？
优化时基组和赝势：H、C、O、P为pob-DZVP-rev2/ALL，Nb为DZVP-MOLOPT-SR-GTH/GTH-PBE，截断能为400 eV，
单点计算时基组和赝势：H、C、O、P为pob-TZVP-rev2/ALL，Nb为pob-TZVP-rev2/ECP pob-TZVP-rev2，截断能为600 eV，
泛函是PBE-D3(BJ)，使用OT算法，PSOLVER用WAVELET、PERIODIC、MT都试过了。
优化的数据算出PERIODIC是-11 eV左右，MT是-18 eV，WAVELET是-11 eV，单点能用更好的基组算也没有改善。
优化的输入输出文件如附件，ads-cCHDA.cif是优化后的结构
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