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标题: TDDFT计算乙烯激发态没算出 Singlet B1u这个态 [打印本页]

作者
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monoceros    时间: 2017-6-28 13:41
标题: TDDFT计算乙烯激发态没算出 Singlet B1u这个态
想要请教以TDDFT计算乙烯激发态所遇到的问题,这困扰了我很久。

在Exploring_Chemistry_with_Electronic_Structure_Methods第二版中,
Example 9.1举了一个用CIS计算乙烯激发态的范例,分别算出
Triplet B1u
Triplet B3u
Singlet B3u
Singlet B1u (Mulliken称它是 V​​ state,属于pi->pi*激发)

我采用TDDFT来做计算,想要比较与书中CIS计算能量精度的的差异。
计算结果看到精度有提升,但却完全没算出 Singlet B1u这个态。

我一开始找了与乙烯相关的理论计算文献比对一下, 确实也有 V state,
是属于 pi->pi*的激发。另外,我使用更高阶的EOMCCSD来算,也能得到
Singlet B1u这个激发态。

在原范例做轨域分析,看到 V state 主要是2px pi到4px pi*,属于
里德堡激发,是与文献一致。

但是用了TDDFT计算后,进行轨域分析,确实找不到这样的激发。

我用的基组基本上跟范例是一样的6-31+G(d),但也尝试过AUG-CC-PVTZ。
另外,因为有Triplet激发态,所以泛函基本上是M062X,但也都尝试过
B3PYP、PBE0、WB97XD,但是都没有算出 Singlet B1u。
我也试过只算Singlet或算更多的态,但是也都一样,找不到。

请问老师,是我的使用方法错误了吗?


作者
Author:
sobereva    时间: 2017-6-28 18:11
#p b3lyp/6-31g(d) td

Title Card Required

0 1
C                  0.00000000    0.00000000    0.66543023
H                 -0.00000000    0.92367377    1.23955617
H                 -0.00000000   -0.92367377    1.23955617
C                  0.00000000    0.00000000   -0.66543023
H                 -0.00000000   -0.92367377   -1.23955617
H                  0.00000000    0.92367377   -1.23955617

一开始就是B1u啊
Excited State   1:      Singlet-B1U    8.3124 eV  149.16 nm  f=0.3513  <S**2>=0.000
       8 ->  9         0.70405
       8 <-  9        -0.10646
This state for optimization and/or second-order correction.
Total Energy, E(TD-HF/TD-KS) =  -78.2819834398   
作者
Author:
monoceros    时间: 2017-6-28 21:01
sobereva 发表于 2017-6-28 18:11
#p b3lyp/6-31g(d) td

Title Card Required

谢谢Sobereva老师的回覆。
我使用跟您一样的6-31G(d)基组,果然算出了Single B1u这个态。

但是一样的方法我再去用6-31G+(d)试一次,就是算不出来,得到了
Excited State 1: Singlet-B3U 7.2597 eV 170.78 nm f=0.1268 <S**2>=0.000
       8 -> 10 0.70533
Excited State 2: Singlet-B2G 7.5883 eV 163.39 nm f=0.0000 <S**2>=0.000
       8 -> 11 0.70591
Excited State 3: Singlet-B1G 7.7449 eV 160.08 nm f=0.0000 <S**2>=0.000
       8 -> 12 0.70206

我蛮意外的,因为使用了刻意使用Diffuse基组反而算出不对的结果。

后来我试着把nstates调到4,总算看到Single B1u被(挤)进来了
Excited State 1: Singlet-B3U 7.2597 eV 170.78 nm f=0.1268 <S**2>=0.000
       8 -> 10 0.70533
Excited State 2: Singlet-B1U 7.5731 eV 163.72 nm f=0.3437 <S**2>=0.000
       8 -> 9 0.68834
       8 -> 16 0.14723
Excited State 3: Singlet-B2G 7.5883 eV 163.39 nm f=0.0000 <S**2>=0.000
       8 -> 11 0.70591
Excited State 4: Singlet-B1G 7.7449 eV 160.08 nm f=0.0000 <S**2>=0.000
       8 -> 12 0.70206

但是我记得之前我用WB97XD或M062X泛函,在6-31G+(d)这个基组下,nstates=4也是看不到B1u。

不过,我再把nstates调到5之后,Singlet B1u也能够被(挤)进来了。

测试结果整理如下,在不同方法或基组时,要算出Singlet B1u所需的nstates略有不同:

Method        Basis set        nstates
b3lyp           6-31g(d)        ≥ 3
CIS             6-31g+(d)        ≥ 3
b3lyp           6-31g+(d)        ≥ 4
wb97xd       6-31g+(d)        ≥ 5
m062X        6-31g+(d)        ≥ 5

随着泛函变复杂或或基组变大,似乎需要比较多的nstate才能算出正确的结果。
作者
Author:
sobereva    时间: 2017-6-29 03:16
monoceros 发表于 2017-6-28 21:01
谢谢Sobereva老师的回覆。
我使用跟您一样的6-31G(d)基组,果然算出了Single B1u这个态。


你看看各个激发态的特征。
用了弥散的时候,对小分子体系会出现里德堡态,说不定是它把B1U给挤上去了
价层激发完全没必要用弥散函数。
作者
Author:
monoceros    时间: 2017-6-29 13:18
sobereva 发表于 2017-6-29 03:16
你看看各个激发态的特征。
用了弥散的时候,对小分子体系会出现里德堡态,说不定是它把B1U给挤上去了
...

我先考察了triplet-B1u激发态主要的跃迁特征(POP),比较有无弥散的差异性,

6-31G(d) ⇒ 2px -> 3px* 8.4490 eV
6-31G+(d) ⇒ 2px -> 4px* 7.5731 eV

有弥散的情况下,电子云分布到更广的地方,激发能与文献上的较一致。

我再考察有弥散的其他的激发态

 Excited State 1: Singlet-B3U 7.2597 eV
       8 -> 10 0.70533 (主要是 2px -> 4s)
 Excited State 2: Singlet-B1U 7.5731 eV
       8 -> 9 0.68834 (主要是 2px -> 4px*,成分高,0.8)
       8 -> 16 0.14723
 Excited State 3: Singlet-B2G 7.5883 eV
       8 -> 11 0.70591 (主要是 2px -> 4s*)
 Excited State 4: Singlet-B1G 7.7449 eV
       8 -> 12 0.70206 (主要是 2px -> 4py,但成分较低,0.57)

我猜想Gaussain再给出激发态的时候,可能是先由主量子数、角动量子低
或成分较少的先找出来,然后找出来后再才依据计算出的激发能排序。
因此,Singlet-B1U在nstates=3时,就没有被显示出来。
作者
Author:
sobereva    时间: 2017-6-29 21:25
monoceros 发表于 2017-6-29 13:18
我先考察了triplet-B1u激发态主要的跃迁特征(POP),比较有无弥散的差异性,

6-31G(d) ⇒ 2px ->  ...


不是先找出**再按照激发能排序
TDDFT形式上类似于CIS,实际求解用类似davidson迭代对方法,直接就是按照能量从低到高来求出根的
作者
Author:
monoceros    时间: 2017-6-30 13:23
本帖最后由 monoceros 于 2017-6-30 13:24 编辑
sobereva 发表于 2017-6-29 21:25
不是先找出**再按照激发能排序
TDDFT形式上类似于CIS,实际求解用类似davidson迭代对方法,直接就是按 ...

可能是没有表达清楚,我再将问题简单表示一下:
这也是感觉奇怪的地方,本来我也是想比较低能量的B1U
应该要先给出来才对,但是怎么要到N=4的时候才会塞进来。

以下是B3LYP/6-31+g(d)的计算,在只算3个激发态时,高斯给出:
Excited State 1: Singlet-B3U 7.2597 eV 170.78 nm f=0.1268 <S**2>=0.000
Excited State 2: Singlet-B2G 7.5883 eV 163.39 nm f=0.0000 <S**2>=0.000
Excited State 3: Singlet-B1G 7.7449 eV 160.08 nm f=0.0000 <S**2>=0.000

在算4个激发态时,高斯才给出:
Excited State 1: Singlet-B3U 7.2597 eV 170.78 nm f=0.1268 <S**2>=0.000
Excited State 2: Singlet-B1U 7.5731 eV 163.72 nm f=0.3437 <S**2>=0.000
Excited State 3: Singlet-B2G 7.5883 eV 163.39 nm f=0.0000 <S**2>=0.000
Excited State 4: Singlet-B1G 7.7449 eV 160.08 nm f=0.0000 <S**2>=0.000

除了B1U以外,其它解都一样,不受到N的影响,而低能量的B1U在N=3时,却没有被
给出来,反而了其他能量更高的激发态。所以我才会想到除了能量以外,是不是高斯在挑选
N个激发态的时候,还有其他考量。
作者
Author:
sobereva    时间: 2017-7-1 00:57
monoceros 发表于 2017-6-30 13:23
可能是没有表达清楚,我再将问题简单表示一下:
这也是感觉奇怪的地方,本来我也是想比较低能量的B1U
...


高斯不会去“挑选”,你要从davidson迭代的原理去理解求根的过程

如果你感兴趣的是最低N个态,那么不要恰好算到N个,一定要多算一些,否则这N个也会不准,甚至可能漏掉一些
作者
Author:
monoceros    时间: 2017-7-2 21:42
sobereva 发表于 2017-7-1 00:57
高斯不会去“挑选”,你要从davidson迭代的原理去理解求根的过程

如果你感兴趣的是最低N个态,那么 ...

谢谢Sob老师,我对Davidson iteration并没有清了解。
我想保险就是像老师讲的多算一些态,再来就多比较实验
结果,比较保险。




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