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标题: 求助缺陷形成能图的几个问题 [打印本页]

作者
Author: lei234 时间: 2015-1-20 16:46
标题: 求助缺陷形成能图的几个问题

关于缺陷形成能的图，请教您几个问题：
1）算出来的缺陷形成能是一个值，好像是左边纵坐标的值，为什么图上变成一条线了？怎么画出来的?右边纵坐标的值是什么？
2）横坐标是费米能级？
3）有一些图上写的Ga-rich 之类的，rich是什么意思?
4) 什么是host atom什么是impurity atom？

作者
Author: lei234 时间: 2015-1-20 16:47
5）关于shallow level 和deep level应该怎么理解呢？
6）形成能的公式中的最后一项，E corr怎么得到?
7）交点处是什么？转变能级？怎么理解？
8）横坐标是费米能级的话，最大值对应的是什么？完美晶体的？它和图中的线有什么关系？好像没有横坐标那条线也可以画出来，而且它的值是怎么取的?
问题比较多，而且都比较低级，非常期待您的回答~@卡开发发

作者
Author: lei234 时间: 2015-1-20 16:54
我把图片放附件里了@卡开发发

作者
Author: 卡开发发 时间: 2015-1-20 18:08
这样吧，你把原文献发来看看，你这么说我有点乱，问题也挺多的，明天或后天给你答复

。

作者
Author: lei234 时间: 2015-1-20 19:20
@卡开发发

作者
Author: 卡开发发 时间: 2015-1-21 05:19
1)一般如金属这样的体系不会形成带电缺陷，所以杂质能级与Fermi level无关，是一根平线；但是带电体系与Fermi能级、带的电荷有关，因此在图上就是个斜线；Fermi能级和一些材料的电学性质非常相关；

2)横坐标是Fermi level；

3)rich表示这种物相比较富足的状态，当富Ga的时候，Ga的化学势可定义为纯Ga体相的能量；

4)host atoms指的是宿主原子吧，就是体结构本身的那些原子；impuriy很显然是杂质原子，原本体相原子之外引入的掺杂原子；

5)浅能级一般杂质的受主能级离host的价带顶比较接近，也比较容易发生电荷转移；

6)这个按照文章的说法就是在计算过程取了有限的k点以及力、静电不平衡等因素导致的误差，Ecorr就是这部分的校正，怎么算我不太了解；

7)这个我也不是特别了解，不过看文中的说法指的应该是host的带电状态，In principle, internal excitations of the defect can occur in which the charge state of the defect remains unchanged. More commonly, however, carriers are exchanged with the semiconductor host and a transition to a different charge state occurs. These different charge states may correspond to quite different local lattice configurations；

8)横坐标的最大值对应着Fermi能级进入CBM，这个时候应该是杂质原子带了负电荷，而且体系对这些电荷束缚性不强，半导体n型倾向比较严重；您需要记得的是问题1)的解释，图上除了q=0的形成能的线与Fermi无关，但q=-1和q=+1就有关系，Fermi能级对于半导体一定是介于VBM和CBM。

个别问题（如问题6和7）我也不是特别确定，仅供参考，希望更多的人能够加入讨论。有些问题可能表述的不是很严谨，我还是建议您找本《半导体物理》和《固体物理》（尤其是前者）稍微看看会有帮助，这对入门也非常有好处。

作者
Author: 加勒比1987007 时间: 2015-1-21 14:44
这可是缺陷计算相当经典的两篇综述，要掌握也不是那么容易的，祝好！

作者
Author: qiyaqi 时间: 2023-10-13 20:00
请问楼主形成能的公式中的最后一项，E corr会算了吗？能否告知一下怎么计算

作者
Author: 丨小桉柠 时间: 2024-3-4 10:48

qiyaqi 发表于 2023-10-13 20:00
请问楼主形成能的公式中的最后一项，E corr会算了吗？能否告知一下怎么计算

加一

作者
Author: 丨小桉柠 时间: 2024-3-4 10:51

qiyaqi 发表于 2023-10-13 20:00
请问楼主形成能的公式中的最后一项，E corr会算了吗？能否告知一下怎么计算

请问楼主最后找到解决办法了吗

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