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标题: 晶体切面处理后如何三维扩展？ [打印本页]

作者
Author: 赵云跳槽 时间: 2017-11-28 22:50
标题: 晶体切面处理后如何三维扩展？
以前我对并五苯进行的是三维扩展，即依据晶胞参数(a, b, c)来搞定，现在我需要对晶体进行切面处理，即得到
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现在我同样也需要对晶胞进行扩展，形成一个半球，以这三个方面扩展，但切面处理后晶体变成了二维（只有这三个参数了，a, b, gamma，姑且这样称呼），
在同一平面上可以使用a和b，但垂直方法咋利用gamma呢？

作者
Author: jiangning198511 时间: 2017-11-29 09:46
MS里面有加真空层的选项

作者
Author: ggdh 时间: 2017-11-29 11:47
可以改slab的厚度（增加c方向分子数）
也可以把这个转换成晶胞后改c的大小（增加真空层）

作者
Author: 赵云跳槽 时间: 2017-11-29 14:57
经过比较发现，增加真空层的做法不可取
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可能这是因为分子层间本身就有距离，而不是紧密相连的，会低估c值（11.350小于实际的13.436）

不知道我这个理解是否有问题

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