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标题: 可以用什么表征无辐射跃迁过程的强弱? [打印本页]

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好好学习    时间: 2018-1-11 15:08
标题: 可以用什么表征无辐射跃迁过程的强弱?
请问各位大神,有哪些量可以用来定性表征无辐射跃迁过程的强弱?比如我想比较两个分子的无辐射跃迁过程,可以用哪些量来定性比较呢?我之前看到一个说法,不确定是否正确,拿来跟大家讨论一下:1.绝热激发能(值越大越困难);2.重组能(值越大越容易);3.非绝热耦合向量(?)。
我的问题:1.以上说法是否正确?有没有参考文献或书?
2.非绝热耦合向量是什么?它和非辐射跃迁的关系是什么?它理论计算吗?假设能,怎么算?
3.若以上说法不正确,有没有其他量或办法来比较无辐射跃迁过程?


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ggdh    时间: 2018-1-12 16:15
可以直接用MOMAP算IC 速度
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柒月小鱼    时间: 2018-1-12 22:30
ggdh 发表于 2018-1-12 16:15
可以直接用MOMAP算IC 速度

大佬 请问您计算过T1到S0的IC的跃迁电场么  
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柒月小鱼    时间: 2018-1-12 22:36
这个激发态到基态的内转换是最先考虑的 在本论坛里面有很多相关的讨论 觉得你可以看看
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好好学习    时间: 2018-1-13 08:27
ggdh 发表于 2018-1-12 16:15
可以直接用MOMAP算IC 速度

该体系无法用momap计算
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好好学习    时间: 2018-1-13 08:29
柒月小鱼 发表于 2018-1-12 22:30
大佬 请问您计算过T1到S0的IC的跃迁电场么

我只是个学生 懂得连皮毛都算不上 大佬万万不敢当
我想表征的是S1到S0的无辐射过程
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好好学习    时间: 2018-1-13 08:29
柒月小鱼 发表于 2018-1-12 22:36
这个激发态到基态的内转换是最先考虑的 在本论坛里面有很多相关的讨论 觉得你可以看看

好的 我看看 谢谢
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万里云    时间: 2018-1-13 10:28
跑个非绝热动力学,根据布局数随时间的变化关系计算寿命,估计可以表征。
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三石草祭    时间: 2018-1-13 10:51
无辐射可以用基态和激发态几何结构构型的变化大小来表征下,比如键长,二面角等等,清华大学帅志刚老师组的文章可以看下,有这样的解释,重组能也是表征无辐射大小的物理量,可以用四点法计算下




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