sobereva 发表于 2018-10-7 16:41 谢谢社长,我会仔细学习这些博文的,期待下个月的波函数分析班(^_^) |
九曜 发表于 2018-10-7 08:40 键是否容易断裂,对于不同类型的键来比较,应该考察键能(如果键解离过程有过渡态,对比势垒)。如果是相同类型的键对比,可以用拉普拉斯键级、Mayer键级来对比。 “电子云密度高”这种表述极其含糊,电子密度是三维函数,然而成键的是一个区域。如果非得用一个点的密度来衡量成键区域的密度的话,通常用AIM理论里的键临界点(BCP)位置的电子密度来说事(也有其它做法,比如考察对应成键区域的ELF盆里的电子密度积分值、对原子间模糊交叠空间内的电子密度做积分等),这些Multiwfn都能计算。但如果比如讨论pi键,BCP位置的密度就不适合反映了(BCP基本都是在键轴上,而pi电子在这个地方则有节面),应当用Multiwfn计算比如从BCP点出发,垂直于键轴上方比如1 Bohr处的密度来说事。 基团缺电子富电子可以用Multiwfn计算片段电荷来说事。 “容易进攻/被进攻”这牵扯到很多因素。像位阻这种因素,得结合实际两种反应物结构来考虑。从静电角度分析被进攻的可能性,则可以考察分子表面静电势或者原子电荷,参看比如http://sobereva.com/159、http://sobereva.com/196。而至于反应物接触后是否容易反应,可以以分子表面平均局部离子化能、福井函数、双描述符等方式考察。相关信息看: 1 亲电取代反应中活性位点预测方法的比较(http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract28694.shtml)、Comparative study on the methods for predicting the reactive site of nucleophilic reaction(https://link.springer.com/article/10.1007%2Fs11426-015-5494-7) 2 幻灯片:Predicting reactive sites(http://sobereva.com/234) 3 Multiwfn手册4.A.4节 4 概念密度泛函综述和重要文献合集:http://bbs.keinsci.com/forum.php?mod=viewthread&tid=384 |
sobereva 发表于 2018-10-7 01:00 谢谢社长,请问有机里面:“这个键容易断裂、这个地方电子云密度高,活性强、这个基团富电子/缺电子,容易进攻/被进攻。”诸如此类的描述应该如何用波函数分析去描述呢? |
一种讨论方式是根据NBO里的E2从超共轭的角度去讨论,如果取代基导致这个键周围一些高占据的NBO与这个键的sigma*型NBO轨道出现明显的超共轭,就会拉长这个键。但这不是影响键长的全部。有些因素其实是“潜藏”在自洽场迭代过程中的,并不是很容易去分析。 |
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