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求助:模拟界面吸附过程跑NVT分子吸附不下来

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发布时间: 2019-5-4 16:58

正文摘要:

本帖最后由 Black-Mamba2018 于 2019-5-4 16:59 编辑 各位老师好!本人在模拟界面吸附过程,跑NVT(mdp文件如图所示)500ps、2ns分子始终吸附不下来(如图所示),只有极少数分子下去了,甚至穿到底部去了,目标分 ...

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Black-Mamba2018 发表于 Post on 2019-5-12 11:02:54
sobereva 发表于 2019-5-12 10:19
你的图我看不清楚
如果跑到底下的是跑到了下方分子的中间去,说明下方分子排列不够致密
如果是跑到了下方 ...

感谢老师的悉心指点
sobereva 发表于 Post on 2019-5-12 10:19:14
你的图我看不清楚
如果跑到底下的是跑到了下方分子的中间去,说明下方分子排列不够致密
如果是跑到了下方分子低端,那应当是由于PBC条件所致(具体通过轨迹考察)

你的体系里没有两头都跨越盒子的分子,用periodic-molecules=yes毫无意义。培训班例子里那种诸如无限延展的石墨烯才需要用这个

gro里设速度就行。但是如果你用了控温,实际速度就不会和你预设的一致。
Black-Mamba2018 发表于 Post on 2019-5-12 09:58:55
sobereva 发表于 2019-5-4 17:08
rvdw再设大点,初始结构间距摆小点,控温温度设低点再试

感谢sob老师的指点,我按照您给的建议,继续尝试,但跑完仍有分子跑到底部和顶部去,我在VMD中打开Z方向的镜像看了下,结果发现有成键,请问老师这该怎么处理呢?是添加periodic-molecules=yes(已在尝试) ?对于这句话"One host or emitter molecule was deposited every 100 ps within a 2 nm height from the top of the relaxed substrate or previously deposited
molecules."分子相当于以0.02 nm/ps沉积到基底去,这是怎么做到的呢?我参照咱们培训班的教材中的一个例子(金原子撞击金板),给所有要沉积分子(原子)添加速度矢量(0.0000  0.0000 -0.0200),跑完还是没有全部沉积到基底表面,学生学艺不精,还请老师指点一二。
sobereva 发表于 Post on 2019-5-4 17:08:52
rvdw再设大点,初始结构间距摆小点,控温温度设低点再试

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