风飞 发表于 2020-9-1 22:04 SIGMA为展宽大小,ISMEAR和SIGMA这两个参数确定弥散(smearing)的方法和展宽的参数,SIGMA = 0.05通常用于非金属和半导体;ALGO为电子迭代算符,不同的 ALGO 对应的是不同的算法,本质上都是在找势能面上的能量极小值,ALGO = All即IALGO = 58,可以看 VASP wiki 里的介绍。https://www.vasp.at/wiki/index.php/ALGO |
https://www.vasp.at/wiki/wiki/index.php/ALGO ALGO是控制电子算法的 |
yamin 发表于 2020-8-31 14:28 你好,我是用QE进行计算的,请问您调整的这个参数:SIGMA = 0.05, ALGO = A 代表的什么意思呢?我看看能否借鉴到我的计算中 |
风飞 发表于 2020-8-28 11:26 是这么做的,直接删掉了O原子。你试试调整参数 |
体系比较大时,用ALGO = V会更容易收敛,但是可靠性相对弱一些,不过我觉得基本靠谱 |
yamin 发表于 2019-11-25 10:35 您好,请问您搭建CeO2(111)氧空位的步骤是? 我之前切出CeO2(111)面,然后进行优化,然后在111面删除一个O,然后对这个模型进行优化,结果怎么也不收敛。请问是不是我这样的构建的方法有问题 |
Accelerator 发表于 2019-11-25 12:22 最终SIGMA = 0.05, ALGO = A ,收敛。谢谢前辈指导! |
目前老师给我改了SIGMA=0.05 ALGO=A,收敛中 |
啦啦黑还黑 发表于 2019-11-25 22:25 您好,我打开了ISPIN=2,还是不收敛,还能咋整? |
啦啦黑还黑 发表于 2019-11-25 22:25 完美二氧化铈表面在吸附丙酮和2个H时,ISPIN=1,同样SCF不收敛,单独吸附丙酮收敛,单独吸附H收敛。看文献U值范围4或5,截断能范围400-500(看过一篇300的,找不到出处了),我打算尝试分别修改ISPIN=2,ENCUT=500,U=4试试。 |
啦啦黑还黑 发表于 2019-11-25 22:25 好,我来试试,谢谢前辈! |
为啥用ISPIN=1呀,你这体系很可能自旋极化,doped金属原子和Ce4+之间有电子转移,打开自旋ISPIN=2 |
Accelerator 发表于 2019-11-25 12:22 您好,是指读取波函数再优化吗? |
VASP一些特无论如何都弄不收敛的体系 构型又没有不合理的 可以尝试用不收敛的波函数多优化几步 有望走几步后SCF得以收敛 |
题中POSCAR第倒数八行不知道为什么我这里显示不出来,编辑时是完整的。完整数据为 0.5837150147524066 0.6659344414187797 0.5436186222771064 T T T |
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