sobereva 发表于 2015-8-22 19:06
Outer Valence Approximation就是应当取的电离能

CCSD(T)计算激发能一种是前面说的EOM形式，一种就是基 ...

谢谢sobereva 老师，您的建议太好了，正说到我的心坎上，自己很多时候就是太懒了，动手reproduce一下也许更有效，这样光自己胡思乱想太苦了。

Outer Valence Approximation就是应当取的电离能

CCSD(T)计算激发能一种是前面说的EOM形式，一种就是基于delta_SCF的激发态HF波函数（这种处理仅限于有对称性的体系）

细节可以问作者，也可以实际reproduce一下结果

zidu113 发表于 2015-8-22 15:54
非常感谢sobereva 老师的及时回复。我看了很多类似以下这样的计算。总是搞不懂他们是怎样用OVGF，RCCSD(T) ...

各位老师，对于上表的BAND  A，B,C,D,E :我的理解是：
1，使用OVGF方法能直接计算出4e，5a1,3e，2e,4a1等轨道的电离能，它们对应的Outer Valence Approximation项就是BAND  A，B,C,D,E。
我记得OVGF的输出文件里有类似以下的内容。
Summary of results for alpha spin-orbital   4  OVGF:
Koopmans theorem:            -0.49793D+00 au  -13.549 eV
Converged second order pole: -0.40410D+00 au  -10.996 eV  0.906 (PS)
Converged third  order pole: -0.46042D+00 au  -12.529 eV  0.944 (PS)
Outer Valence Approximation: -0.44578D+00 au  -12.130 eV  0.937 (PS)
这里的Outer Valence Approximation项对应的就是相应轨道的电离能。
请教各位老师我这样理解对吗？如果不对，还请各位老师多多指点。谢谢。

2，还想请教各位老师，上表中作者是如何使用CCSD(T)方法来计算BAND  A，B.

你的计算公式是对的。
CCSD(T)本身只能算基态，但也可以扩展到激发态计算上，大量程序都已经支持EOM-CCSD，NWChem甚至能支持到EOM-CCSDTQ，有个别程序支持EOM-CCSD(T)比如GAMESS-US，另外dalton支持LR-CC3（精度>=EOM-CCSD(T)）。