sobereva 发表于 2021-10-30 12:47
本来DOI: 10.1126/science.aay1914就都已经报道了实验的STM

谢谢Sob老师的信息。

Xian 发表于 2021-10-30 12:16
请教一下Sob老师，实验上STM能够探测的表面一般是金属或者是半导体表面，听做实验的同学说如果半导体的能隙 ...

本来DOI: 10.1126/science.aay1914就都已经报道了实验的STM

请教一下Sob老师，实验上STM能够探测的表面一般是金属或者是半导体表面，听做实验的同学说如果半导体的能隙大一些的话，STM很难做出来。这篇帖子详述了计算孤立18C环的STM，根据Sob老师的文章，我看了一下18C的HOMO和LUMO能隙还是很大的，那么计算能得到的STM，在实验上能测出来吗？谢谢。

风飞 发表于 2021-6-20 21:59
老师，您好，文章中两种绘制模式‘常高’，常电流，请问对于固体表面STM的绘制，一般是用哪种模式呢？
...

都有
看文献里普遍用多少

sobereva 发表于 2021-6-11 23:07
支持

老师，您好，文章中两种绘制模式‘常高’，常电流，请问对于固体表面STM的绘制，一般是用哪种模式呢？
如果是利用常电流，请问请问偏压和常电流的值一般怎么确定的呢？

风飞 发表于 2021-6-11 11:18
老师，您好，Multiwfn现在支持CP2K的molden文件，请问利用CP2K计算产生的molden文件绘制STM吗？

支持

sobereva 发表于 2021-1-13 12:32
不能

老师，您好，Multiwfn现在支持CP2K的molden文件，请问利用CP2K计算产生的molden文件绘制STM吗？

易振宇1996 发表于 2021-1-13 11:34
请问sob老师，multiwfn可以模拟dI/dV mapping吗？

不能

请问sob老师，multiwfn可以模拟dI/dV mapping吗？

sobereva 发表于 2020-5-5 16:27
你说反了。负偏压体现的是占据轨道，正偏压体现的是空轨道，除非用的习俗和本文不同。
文中已经说了，负 ...

多谢社长，是我说反了。因为刚开始了解这个领域，所以很多概念很不清楚。社长的文章真的都很精髓，值得反复回味，我又犯了粗看一遍就当作全懂了的毛病

Novice 发表于 2020-5-5 16:06
哦哦，这个我看到了。就是我在看文献时发现正负偏压得出来的图像不一样，比如说正向偏压得到了类似HOMO的 ...

你说反了。负偏压体现的是占据轨道，正偏压体现的是空轨道，除非用的习俗和本文不同。
文中已经说了，负偏压时电子往针尖移动，显然电子肯定是从样品的占据轨道走，所以相当于对占据轨道成像（这只是单电子近似下的粗略的表述）

sobereva 发表于 2020-5-5 08:14
注意本文的第一张图下方的正负极，根据中学知识很容易理解偏压的正负是导致电子以何种方向流动的。

哦哦，这个我看到了。就是我在看文献时发现正负偏压得出来的图像不一样，比如说正向偏压得到了类似HOMO的图像，而负向偏压得到了类似LUMO的图像，这个我没有理解为什么，还请社长指点一二。

Novice 发表于 2020-5-4 10:16
小白问一下，正向偏压和负向偏压有啥区别呢？社长是不是也简单解释一下，并在文中给一下示例图呢

注意本文的第一张图下方的正负极，根据中学知识很容易理解偏压的正负是导致电子以何种方向流动的。

小白问一下，正向偏压和负向偏压有啥区别呢？社长是不是也简单解释一下，并在文中给一下示例图呢