sobereva 发表于 2020-7-31 01:30 好的,我再检查一下结构,也换一下基组再试试,谢谢老师! |
万卷书万里路 发表于 2020-7-30 16:22 有可能与构型选取有关 对于阴离子体系,算激发能应当加弥散函数 |
sobereva 发表于 2020-7-28 22:47 谢谢Sob老师! 我优化了负一价阴离子和负二价阴离子的结构,没有虚频,然后做垂直激发计算,得到的吸收光谱与实验测得相差很大,几乎完全对不上,如果这两个峰位处的材料确实是这俩阴离子,那是不是我选择的泛函不合适? 同一类体系的其他材料,计算已经尝试过M062X和CAM-B3LYP和wB97XD等,基组是tzvp,nstates=30,也已经加了溶剂(SMD模型) 或者说,会不会是因为材料结构本身扭转角有很多种可能,我用到的是几个角度中能量最低的那个构型去模拟光谱,只用这一个还不够? |
喵星大佬 发表于 2020-7-28 13:52 嗯嗯,明白您说的了,谢谢! |
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肯定得优化阴离子结构 C-H断键的可能性很低 |
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本帖最后由 喵星大佬 于 2020-7-28 13:53 编辑 原本是闭壳层体系,也就是所有电子都成对。然后多了一个电子,不严格地说,相当于往原来的LUMO里扔了一个电子。这个时候体系是带一个负电荷的离子,同时因为有未成对电子,是自旋密度不为0的自由基,所以是自由基阴离子,不需要成键/断键。 |
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