我记得有篇文章用gw的方法算了3w+的空带和1000eV+的截断能得到了3.6eV左右的带隙。。

NiceFuture 发表于 2022-1-7 22:16
有的文献用GGA-PBE算的ZnO(001)3*3*1 ,其中Zn的U=7.5，得出的带隙是2.6ev，请问这是怎么得到的？

ZnO体系U会有点影响，但是影响很小，但是加在O_2p上其实很容易就能使带隙增加，但这种做法是否合理我觉得缺乏原理上的阐述。

卡开发发 发表于 2020-7-30 06:32
最坑爹的是，这个体系DFT+U在Zn上影响很小，反而加在O(2p)才能显著改善gap，杂化泛函就比较容易凑准了。L ...

有的文献用GGA-PBE算的ZnO(001)3*3*1 ,其中Zn的U=7.5，得出的带隙是2.6ev，请问这是怎么得到的？

nanopulsarstar 发表于 2020-11-14 15:18
我算到的是 1.1302 eV ，也不知道要如何算了

这种要么强行上GW，要么强行上HSE。。。
还有个办法是抠出团簇来用高斯、ORCA等做双杂化泛函计算（B2PLYP、PWPB95）或高精度波函数方法计算（DLPNO-CCSD(T)、IP-STEOM-DLPNO-CCSD、EA-STEOM-DLPNO-CCSD），但是不知道结果随团簇大小收敛得有多快。

我算到的是 1.1302 eV ，也不知道要如何算了

卡开发发 发表于 2020-7-30 06:32
最坑爹的是，这个体系DFT+U在Zn上影响很小，反而加在O(2p)才能显著改善gap，杂化泛函就比较容易凑准了。L ...

我觉得是这样的，描述强关联体系的Hubbard model里 H~tight binding energy+ U（n↑n↓+n↓n↑），n是自旋数密度算符。而+2价的Zn外层d轨道恰好是满层，满层n↑n↓的作用恰好抵消了；且一般认为满层电子比较惰性，没什么奇异的电子性质。
作为对照，La2CuO4，典型的Mott insulator，就是Cu d电子轨道半满，考虑U以后打开一个大的gap因此是绝缘体。（能带理论预测它是金属）

所以道理上+2 Zn贡献的电子性质影响不是很大，至于O的p轨道我就不清楚了。

granvia 发表于 2020-7-29 12:16
ZnO是公认的半导体吧，那个实验有出处吗？DFTB+是半经验的DFT，计算能带误差应该很大。另外，比较带隙结果 ...

CMP语境下半导体和绝缘体其实是一个意思，实验上主要测电阻-温度就能看出来。温度上升电阻下降的，都是绝缘体。

wendawei 发表于 2020-8-8 14:24
如上面大佬说，杂化泛函可以凑
PBE0和HSE06之类的，计算速度实在...............
想快的，推荐MBJ（也可 ...

如果只算块体能带的话，MBJ是好办法。

如上面大佬说，杂化泛函可以凑
PBE0和HSE06之类的，计算速度实在...............
想快的，推荐MBJ（也可以凑...）我那WIEN2K的MBJ试了一下ZnO，默认参数(选择new mbj, 2012)能得到3.0~3.1 eV，稍微调了参数，变成3.4~3.5 eV

板凳吃瓜

泡泡媛 发表于 2020-8-3 09:11
同好奇，DFTB我想是因为借用了实验的参数才会跟实验比较相符吧，半经验的方法有一些是借用已知的参数来算的

进步神速？

同好奇，DFTB我想是因为借用了实验的参数才会跟实验比较相符吧，半经验的方法有一些是借用已知的参数来算的

为什么ZnO会这么难算准？和它的结构特殊性有关吗？

granvia 发表于 2020-7-30 12:22
DFTB+里的泛函应该是LDA，不是杂化泛函吧

我指的是某些杂化泛函可能比G0W0凑得还好点。