卡开发发 发表于 2021-3-28 11:10 非常感谢老师耐心细致的解答! |
gg302694005 发表于 2021-3-28 10:41 1、暂时也不能判断其他哪些关键字可能造成虚频,只能先进行尝试再根据原理分析,LREAL=T可能会引入一些噪声。 2、VASP的话优化晶格反复拷贝CONTCAR为POSCAR可能对结果会有些许影响。 3、VASP放在盒子里分子有虚频正常,有可能未必消除得了,但不会那么大(如100cm-1以上)。可能的原因是格点太粗糙破缺了分子的旋转不变性,除此之外,人为引入的周期性边界也会使得这种旋转不变性发生破缺,所以有时候这些虚频是难以被消除的,除非网格取得足够密集和盒子取得足够大。 |
| 参与人数Participants 2 | eV +4 | 收起 理由Reason |
|---|---|---|
|
| + 2 | |
|
| + 2 |
卡开发发 发表于 2021-3-28 10:07 老师,您提的第一点建议,除了设置参数ISPIN=2,把IREAL参数改为默认,还需要设置哪些参数才合理呢。您的第二点建议,我之前是按照bigbro(大师兄)的教程,如何基于结构优化的INCAR设置的频率计算的INCAR,我之前也按照相关的建议将opt的EDIFF设置为1E-06,但是频率计算结果还是存在虚频。您的第三点建议我马上尝试一下,但是我有一个可能不正确的疑问,如果INCAR的收敛标准不变,那么把CONTCAR变为POSCAR再算一次,结果会不一样吗?最后就是比较邪乎的问题,为什么vasp在空盒子里面算分子,还会出现虚频呢。非常感谢老师的解答 |
get-it 发表于 2021-3-28 04:40 老师,因为要算吸附,先把分子放盒子里算一遍,然后再算吸附 |
|
1、Fe3O4应该是亚铁磁性的,直接开自旋极化是不足够的,一般情况就别用LREAL=T了。 2、声子计算最好和优化结构使用同一精度,一开始优化结构就把SCF收敛标准和构型优化的收敛标准设置严格些。 3、最好多拷贝几次CONTCAR为POSCAR优化。 |
| 参与人数Participants 1 | eV +2 | 收起 理由Reason |
|---|---|---|
|
| + 2 |
| 算分子为什么要用vasp |
手机版 Mobile version|北京科音自然科学研究中心 Beijing Kein Research Center for Natural Sciences|京公网安备 11010502035419号|计算化学公社 — 北京科音旗下高水平计算化学交流论坛 ( 京ICP备14038949号-1 )|网站地图
GMT+8, 2026-2-17 20:06 , Processed in 0.176815 second(s), 26 queries , Gzip On.