bubbbbble 发表于 2024-9-23 19:39 vasp计算的话，二维材料用ISIF=2计算 |
PESPES 发表于 2021-4-29 20:06 你解决了不，我也遇到类似的问题，ISIF=3的时候。如果不用OPTCELL固定c轴方向就会出现真空层塌陷的问题，固定了之后计算的又是二维的形状 |
wzkchem5 发表于 2021-7-28 16:36 做了，都没有虚频，都收敛了 |
乐平 发表于 2021-7-29 11:03 我看的体状的是平面的，二维层状的是波纹的 |
Pamela 发表于 2021-7-28 04:20 从文献上看，VASP 等第一性原理计算软件的结果是平面结构。 |
wzkchem5 发表于 2021-7-28 16:36 做了，都没有虚频。固氮优化出来就是平面，不固氮就是波纹。 |
Pamela 发表于 2021-7-28 03:20 做频率计算了吗？有虚频吗？ |
sobereva 发表于 2021-4-29 02:11 sob老师，我想请教一下，g-C3N4最稳定的是波纹的嘛，我固定加氢的N原子后优化出来是平面的，可以不固定加氢的N原子吗？ |
PESPES 发表于 2021-4-30 08:50 那就是离域在其中一个3-s-3嗪上。 带正电是有可能的，但是实际的C3N4是一个在至少两个维度上无限延展的材料，不可能每个晶胞都带正电，如果每个晶胞都带正电，必定会吸附几乎等量的抗衡阴离子，这种情况下建议加上阴离子计算 |
wzkchem5 发表于 2021-4-29 21:18 首先C3N4不像石墨烯一样形成一大块的离域大π键，它的电子只离域在3-s-3嗪结构中(上图的1/3)，那么电子该咋分？其次我掺杂元素后的催化剂有其他的阴离子稳定，所以我认为这个催化剂带正电比较合适。 |
PESPES 发表于 2021-4-29 20:06 就是把电荷设成0而不是1，就是加了那个电子了。这个电子理论上会离域在整个C3N4的pi*轨道上 |
wzkchem5 发表于 2021-4-29 16:16 比如对于C3N4来说，我就想把金属离子放到空腔中，他与周围的六个氮配位，那咋加电子啊，再说电子以什么形式加上去呢？ |
PESPES 发表于 2021-4-29 11:31 电子数不一样为什么需要解决？这不会导致任何问题啊 |
PESPES 发表于 2021-4-29 08:21 不是啊，碱金属在一般材料上只能以离子形式存在，你掺一个离子反倒是带电的，必须既掺一个离子又加一个电子才是不带电的 而加不加这个电子对泛函的选取有一定影响，这也是我问的原因 |
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