风飞 发表于 2021-5-19 08:09
老师，你好，我的指定如下，仍然有问题， 提示错误如下，那是不是还得指定GPW，GPAW_XC, OFGPW这些参数 ...

您好，我想请教一下，Ce plus U 7.0 eV的参考文献可以分享一下吗，如果还记得的话

sobereva 发表于 2021-5-20 17:33
Hirshfeld-I或CM5合适REPEAT对于这种目的我不建议。REPEAT主要适合用于计算基于力场模拟时的原子电荷目的 ...

嗯，好的 谢谢老师

风飞 发表于 2021-5-19 16:05
我是想计算吸附分析和载体表面之间的电荷电荷转移，看到说CP2K可以直接算 Hirshfled-I、REPEAT， 结合Mul ...

Hirshfeld-I或CM5合适REPEAT对于这种目的我不建议。REPEAT主要适合用于计算基于力场模拟时的原子电荷目的。

风飞 发表于 2021-5-19 16:31
对哈，他是基于电子密度划分的，

那用拟合静电势的：REPEAT?

我觉得REPEAT应该可以使用。主要还是得看程序怎么处理，有些程序在处理特定电荷的情况下会考虑将芯密度补上再进行处理，这点不好一概而论。

卡开发发 发表于 2021-5-19 16:20
Hirshfeld-I的话芯密度是有影响的。

对哈，他是基于电子密度划分的，

那用拟合静电势的：REPEAT?

风飞 发表于 2021-5-19 16:05
我是想计算吸附分析和载体表面之间的电荷电荷转移，看到说CP2K可以直接算 Hirshfled-I、REPEAT， 结合Mul ...

Hirshfeld-I的话芯密度是有影响的。

卡开发发 发表于 2021-5-19 09:48
计算电荷应该可以，但具体得看何种原子电荷。IGMH我不确定使用赝密度和全电子密度会有多大差异。

我是想计算吸附分析和载体表面之间的电荷电荷转移，看到说CP2K可以直接算 Hirshfled-I、REPEAT， 结合Multiwfn 可以算CM5电荷。

结合sob老师关于原子电荷对比的文章，对于我这样的体系，拟采用Hirshfled-I 电荷，您看是否合适？

风飞 发表于 2021-5-19 08:48
嗯，好的，谢谢老师，我修改成这样就可以运行了，
此外，请问这样的基组设置,得到波函数，用于IGMH分 ...

计算电荷应该可以，但具体得看何种原子电荷。IGMH我不确定使用赝密度和全电子密度会有多大差异。

风飞 发表于 2021-5-19 08:09
老师，你好，我的指定如下，仍然有问题， 提示错误如下，那是不是还得指定GPW，GPAW_XC, OFGPW这些参数 ...

POTENTIAL要么全都用ALL的，用GAPW模式做；要么就全都采用赝势，用GPW做。

风飞 发表于 2021-5-18 19:55
老师，使用Multiwfn创建cp2K文件设置DFT+U计算时，是有问题的，正如“啦啦黑还黑”，文件中指出的，需要 ...

2021-May-19版没这个问题

风飞 发表于 2021-5-18 19:50
谢谢各位老师的指点，DFT+U的问题解决了，那请问怎样写这个混合基组呢？尝试了很多次，都失败了

自己修改输入文件在&KIND指定啊