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关于计算较大分子在电场下的构型变化问题

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发布时间: 2021-6-28 17:54

正文摘要:

大家好,想问一下如果计算比较大的分子在电场下的构型变换,用什么计算软件比较好,图是我准备计算的分子,虽然是polymer,但是我只想计算这个单体在电场下的变化情况,以及HOMO LUMO之类的变化,gaussian好像对大分 ...

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小蜗 发表于 Post on 2021-6-30 18:32:50
wzkchem5 发表于 2021-6-29 15:01
你把这个场强换算成V/m,然后对比类似的聚合物的击穿场强。我隐约记得有一个结论是,一般足以导致构型变 ...

嗯嗯,确实,导致构型变化的场强远大于击穿场强,那我再想一想吧~非常感谢
小蜗 发表于 Post on 2021-6-30 18:31:47
niobium 发表于 2021-6-29 14:42
哦,那可能够呛。烷基链应该可以简化

好的好的,非常感谢~
wzkchem5 发表于 Post on 2021-6-29 15:01:25
小蜗 发表于 2021-6-29 02:37
您好,击穿场强现在不知道呢,那模拟中的击穿是什么现象呢?我以前做过一个比较简单的二聚体,大概0.004a ...

你把这个场强换算成V/m,然后对比类似的聚合物的击穿场强。我隐约记得有一个结论是,一般足以导致构型变化的场强,都会明显超过击穿场强,因此没有实际意义
niobium 发表于 Post on 2021-6-29 14:42:53
小蜗 发表于 2021-6-29 09:37
我以为高斯只能算300左右原子数,这个远超300了,高斯也能跑的起来吗?

哦,那可能够呛。烷基链应该可以简化
小蜗 发表于 Post on 2021-6-29 09:37:53
niobium 发表于 2021-6-28 19:15
单体的话高斯完全能搞定

我以为高斯只能算300左右原子数,这个远超300了,高斯也能跑的起来吗?
小蜗 发表于 Post on 2021-6-29 09:37:22
wzkchem5 发表于 2021-6-28 18:09
这个聚合物的击穿场强有多大?导致构象变化需要非常强的电场,很多有机分子在发生明显的构象变化之前就被击 ...

您好,击穿场强现在不知道呢,那模拟中的击穿是什么现象呢?我以前做过一个比较简单的二聚体,大概0.004au是可以发生构型变化的。
niobium 发表于 Post on 2021-6-28 19:15:42
单体的话高斯完全能搞定
wzkchem5 发表于 Post on 2021-6-28 18:09:30
这个聚合物的击穿场强有多大?导致构象变化需要非常强的电场,很多有机分子在发生明显的构象变化之前就被击穿了

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