wzkchem5 发表于 2021-6-29 15:01 嗯嗯,确实,导致构型变化的场强远大于击穿场强,那我再想一想吧~非常感谢 |
niobium 发表于 2021-6-29 14:42 好的好的,非常感谢~ |
小蜗 发表于 2021-6-29 02:37 你把这个场强换算成V/m,然后对比类似的聚合物的击穿场强。我隐约记得有一个结论是,一般足以导致构型变化的场强,都会明显超过击穿场强,因此没有实际意义 |
小蜗 发表于 2021-6-29 09:37 哦,那可能够呛。烷基链应该可以简化 |
niobium 发表于 2021-6-28 19:15 我以为高斯只能算300左右原子数,这个远超300了,高斯也能跑的起来吗? |
wzkchem5 发表于 2021-6-28 18:09 您好,击穿场强现在不知道呢,那模拟中的击穿是什么现象呢?我以前做过一个比较简单的二聚体,大概0.004au是可以发生构型变化的。 |
| 单体的话高斯完全能搞定 |
| 这个聚合物的击穿场强有多大?导致构象变化需要非常强的电场,很多有机分子在发生明显的构象变化之前就被击穿了 |
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