超限制抱怨 发表于 2023-8-29 17:07
SOB老师，冒昧打扰问两个问题，初次接触高斯EET计算。
1、能量转移中电子耦合的计算似乎与DA之间的距离 ...

2你现在知道了么？

sobereva 发表于 2022-5-14 22:39
因为你的BPThy---BPThy体系的几何坐标并不具有HCHO---HCHO那样的对称性，Frag=  2 State=  1 Frag=  1 Stat ...

SOB老师，冒昧打扰问两个问题，初次接触高斯EET计算。
1、能量转移中电子耦合的计算似乎与DA之间的距离有一定的关系，因此在创建输入文件时，能量给体和受体间应该如何摆放，是否需要优化DA结构。此外，对于分子间的能量转移，结构如何放置。
2、输出文件中存在多个电子耦合值，例如Frag=  2 State=  1 (w=  3.9574 eV) <=> Frag=  1 State=  1 (w=  3.9574 eV)指的是S1-S1态的ET过程嘛
3、能量给体和受体在设置片段时如何设置

在构建能量转移高斯输入文件时，输入坐标需要将能量转移给受体放在一起进行优化嘛

请问高斯中计算电子耦合的计算公式是什么呢？

因为你的BPThy---BPThy体系的几何坐标并不具有HCHO---HCHO那样的对称性，Frag=  2 State=  1<=> Frag=  1 State=  2 和Frag=  2 State=  2 <=> Frag=  1 State=  1结果不同是很正常的

还想不明白的话，可以用Multiwfn按下文把分子的两个激发态的跃迁密度等值面图画出来，将等值面图像、分子位置和库仑耦合表达式相结合，想象上述两种情况两个分子对应的跃迁密度间的库仑作用是什么情况，自然就明白了
使用Multiwfn绘制跃迁密度矩阵和电荷转移矩阵考察电子激发特征（含视频演示）
http://sobereva.com/436（http://bbs.keinsci.com/thread-11383-1-1.html）