sobereva 发表于 2015-12-26 13:28
计算键级的方法看Multiwfn手册4.8节的例子
吸附反应是弱相互作用问题，参考
Multiwfn支持的弱相互作 ...

谢谢sob老师，那我再尝试一下大的模型

kevin 发表于 2015-12-26 11:28
谢谢li老师，我目前的计划是想算在硅铝体系中有机的小分子的表面吸附/反应，及孔道吸附/反应，不太去分析 ...

计算键级的方法看Multiwfn手册4.8节的例子
吸附反应是弱相互作用问题，参考
Multiwfn支持的弱相互作用的分析方法概览
http://sobereva.com/252

kevin 发表于 2015-12-26 11:25
恩恩，谢谢sob老师，按您的分析，我举得是计算级别的问题大些，因为我是照着文献里的模型构建的，当时为 ...

这个级别并无问题，是模型的问题

liyuanhe211 发表于 2015-12-26 03:27
GV里（似乎是靠距离判断的）的键级毫无意义，优化后增加键级或是完全断开都常见。观察原子间距离、键角、二 ...

谢谢li老师，我目前的计划是想算在硅铝体系中有机的小分子的表面吸附/反应，及孔道吸附/反应，不太去分析键级，（主要是也还不会分析）

sobereva 发表于 2015-12-26 07:33
配位键不需要任何关键词。
这些成键信息不是你计算前要设定的，而是你计算之后从结果中分析提取出来的。
...

恩恩，谢谢sob老师，按您的分析，我举得是计算级别的问题大些，因为我是照着文献里的模型构建的，当时为了节省计算时间，就简单的用了之前常用的B3lyp/6-31G+(d,p)。

配位键不需要任何关键词。
这些成键信息不是你计算前要设定的，而是你计算之后从结果中分析提取出来的。
应当对比一下这类晶体数据中O-Si键长多少，如果偏差大，比实验值明显短，要么说明计算级别不合理，要么说明是因为当前模型的原因，成键方式和实际分子筛中的情况差异大。

GV里（似乎是靠距离判断的）的键级毫无意义，优化后增加键级或是完全断开都常见。观察原子间距离、键角、二面角符合化学直观即可。

要研究键级可以使用其他（很多很多种）键级的估算方法。