卡开发发 发表于 2021-8-19 13:43
1、建议用esm（记得设置esm=bc1）。
2、后续2倍大你理解为要保留合适的真空区域就行了。
3、2D可能确实 ...

嗯嗯，好的，多谢大大~

Aridea 发表于 2021-8-19 10:24
感谢大大的及时解答，有两点不太明白：
首先，关于assume_isolated = esm / 2D 的情况这个和dipfield =  ...

1、建议用esm（记得设置esm=bc1）。
2、后续2倍大你理解为要保留合适的真空区域就行了。
3、2D可能确实有点慢。

卡开发发 发表于 2021-8-19 01:31
1、方法有调整的余地，DFT-D3之外实在不行也可以看看vdW-DF系列的泛函，但具体哪种表现比较好最好看看文献 ...

还有一个，我试了下加assume_isolated = 2D,vc-relax 计算速度比之前一半还低根本算不动，似乎增加了计算量呀，大大不知这是为何呀

卡开发发 发表于 2021-8-19 01:31
1、方法有调整的余地，DFT-D3之外实在不行也可以看看vdW-DF系列的泛函，但具体哪种表现比较好最好看看文献 ...

感谢大大的及时解答，有两点不太明白：
首先，关于assume_isolated = esm / 2D 的情况这个和dipfield = .true 要二选一嘛;
另一个试，官网里一个关于这个关键词的note我不太理解：The length of the unit-cell along the z direction should be larger than twice the thickness of the 2D material (including electrons).这个包含Z长度要比材料二倍厚度大，包含电子是啥意思呀，如果材料带两个电子或者失去两个电子材料厚度为d这个Z长度怎么设置呀

1、方法有调整的余地，DFT-D3之外实在不行也可以看看vdW-DF系列的泛函，但具体哪种表现比较好最好看看文献。
2、不确定其他参数是否经过收敛性测试，也许是数值噪声引起。
3、做二维优化最好能把边界修正的问题考虑进来（assume_isolated），有专门的2D或者esm来处理。