sobereva 发表于 2021-10-21 01:09 好的，谢谢老师 |
York 发表于 2021-10-20 18:41 仔细看 使用Multiwfn做空穴-电子分析全面考察电子激发特征 http://sobereva.com/434（http://bbs.keinsci.com/thread-10775-1-1.html） 课上我也专门说了空穴-电子分析，这是最普适的考察方法 |
York 发表于 2021-10-17 21:28 老师我想再问您一个问题，就是我只会您初级班讲的看两个主要轨道跃迁的方式判断激发类型，就是这个文章说的TSDD全分布就是CT激发，LE就是半分布是怎么判断的 |
wzkchem5 发表于 2021-10-17 21:44 好的谢谢老师 |
York 发表于 2021-10-17 14:28 应该是isovalue的问题，你可以看到你也是下面少而上面多，如果isovalue设大一点，下面的自旋密度分布就没了 |
本帖最后由 York 于 2021-10-17 21:31 编辑 sobereva 发表于 2021-10-17 21:10 谢谢老师，老师就是我和文献一样都是用的PBE0/6-31g(d)的方法，先优化基态结构，然后按照您说的不改变其结构，0 3计算T1态，然后用Multiwfn进行看的，老师，会不会和isosurface value设置有关，老师我将文献的图片和软件画出来的图片已经上传，烦请老师看一下 |
York 发表于 2021-10-17 20:36 和几何结构、计算级别都有关系，没细节没法说 |
sobereva 发表于 2021-10-17 17:49 老师，我还想再问您一下，就是我的计算结果是整个分子都有分布，但是文章中计算的结果是LE激发，就是只分布在受体（Acceptor）上，老师请问这是什么原因啊 |
sobereva 发表于 2021-10-17 17:49 好的，谢谢老师 |
wzkchem5 发表于 2021-10-17 16:59 好的，谢谢老师 |
York 发表于 2021-10-17 16:21 S0计算得到的fchk里是闭壳层波函数，当然自旋密度处处为0 用优化完的S0结构做0 3的UKS计算，使得fchk里存的是T1态的波函数，然后按下文绘制即可 谈谈自旋密度、自旋布居以及在Multiwfn中的绘制和计算 http://sobereva.com/353（http://bbs.keinsci.com/thread-4422-1-1.html） |
York 发表于 2021-10-17 09:21 在S0结构的基础上做T1计算，再画 |
wzkchem5 发表于 2021-10-17 16:16 谢谢老师解答，老师我想问您一下，如何使用基态的S0结构去做T1的TSDD，应该如何绘制，我用S0的FCHK文件在高斯里面绘制不出来 |
| 这取决于研究的目的，如果研究平衡态的T1，就要用平衡的T1结构；如果研究S1到T1的ISC过程，应该取S1的平衡结构或S1/T1 MECP结构。当且仅当研究从S0平衡结构出发的垂直过程，比如自旋禁阻吸收时，应当用S0平衡结构。如果文献研究的不是这种过程，那就是文献做的不严格。 |
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