yuzj41d 发表于 2021-12-23 20:49
我的问题应该是表面吸附未加偶极校正导致的，在优化表面和吸附结构时加入“LDIPOL = T  IDIPOL = 3”后吸 ...

为什么我加了偶记矫正吸附能还是很大，跟你一样的体系，吸附的Li2S4

yuzj41d 发表于 2021-12-23 22:49
1.这个我确实是调试过绝大多数参数后没啥变化，控制只加上“LDIPOL = T  IDIPOL = 3”后吸附能确实在-2.4 ...

1、按道理不应该，开了偶极矩修正应该吸附能会上升。
2、充分层高指的就是表面厚度充分。

卡开发发 发表于 2021-12-23 22:28
1、
这个按道理不应该。
2、最好不要这样，保证充分的层高才是最稳妥的。

1.这个我确实是调试过绝大多数参数后没啥变化，控制只加上“LDIPOL = T  IDIPOL = 3”后吸附能确实在-2.47到-3.46 eV了.
2.请问“充分的层高”能具体说一下吗？

yuzj41d 发表于 2021-12-23 20:54
谢谢卡开发发老师，我的问题应该是表面吸附未加偶极校正导致的，在优化表面和吸附结构时加入“LDIPOL = T ...

1、

我的问题应该是表面吸附未加偶极校正导致的，在优化表面和吸附结构时加入“LDIPOL = T  IDIPOL = 3”后吸附能就回归正常数值了。

这个按道理不应该。
2、最好不要这样，保证充分的层高才是最稳妥的。

卡开发发 发表于 2021-12-19 01:44
几个OUTCAR发上来看看吧。

谢谢卡开发发老师，我的问题应该是表面吸附未加偶极校正导致的，在优化表面和吸附结构时加入“LDIPOL = T  IDIPOL = 3”后吸附能就回归正常数值了。  不过我有个新问题想请教您，想请问您我将一个晶胞优化后切下一个三层的表面，我这时候可以直接固定下面两层优化最上面一层吗？还是要先将该三层都优化后再进行固定？

KUZZZAN 发表于 2021-12-16 01:03
我也遇到了类似的问题，请问你是怎么解决的？

我的问题应该是表面吸附未加偶极校正导致的，在优化表面和吸附结构时加入“LDIPOL = T  IDIPOL = 3”后吸附能就回归正常数值了。

yuzj41d 发表于 2021-11-25 21:03
我是按你说的这个  “结合的能量减去没有吸附质的能力再减去只有吸附质的能量” 计算的

几个OUTCAR发上来看看吧。

yuzj41d 发表于 2021-11-25 21:03
我是按你说的这个  “结合的能量减去没有吸附质的能力再减去只有吸附质的能量” 计算的

我也遇到了类似的问题，请问你是怎么解决的？

renzhogn424 发表于 2021-11-24 22:29
请教一下吸附能是如何计算的？？ 结合的能量减去没有吸附质的能力再减去只有吸附质的能量？

我是按你说的这个  “结合的能量减去没有吸附质的能力再减去只有吸附质的能量” 计算的

wzkchem5 发表于 2021-11-24 22:08
检查吸附前后CeO2的原子数是否一样，晶胞常数是否一样。
如果还是找不到问题所在，把吸附前后，以及Li2S的 ...

仔细检查了原子数与晶胞参数 没找到问题  ，吸附前的POSCAR INCAR & CONTCAR 以及Li2S的 POSCAR INCAR & CONTCAR贴在最新回复里了  求教大佬

请教一下吸附能是如何计算的？？ 结合的能量减去没有吸附质的能力再减去只有吸附质的能量？

检查吸附前后CeO2的原子数是否一样，晶胞常数是否一样。
如果还是找不到问题所在，把吸附前后，以及Li2S的POSCAR、INCAR都贴上来，不要只贴吸附后的