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高斯计算结合能

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发布时间: 2016-3-8 15:31

正文摘要:

大家好,我在用高斯计算结合能的时候,比如A+B---C的一个反应,之前我也做过关于分子上做一些分子吸附的列子的练习,就是同样的方法相同的基组优化并计算能量,然后吸附能E=E(C)-E(A)-E(B)得到一个吸附能(一 ...

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liyuanhe211 发表于 Post on 2016-3-8 19:51:15
读半天才明白想问什么,发之前整理一下语言。

这不就是计算(几根)配位键的键能(BDE),结合能似乎是核反应质子中子之类问题里的叫法。

40eV也太夸张了,你没有任何具体的结构、计算方法、结果,凭空猜很难。方法合理、结构优化之后,应当考虑结构本身的合理性。比如这些粒子肯定都不在真空中,多聚阴离子应当有抗衡阳粒子配着,Pd(II)在溶剂里肯定是个盐,比如PdCl2,肯定是有阴离子和溶剂配位的。想计算出实验上可以测得配位能量肯定都要考虑,有配体解离、有阳离子交换、有去溶剂化(有时要适当用显式溶剂)。

以及 (-7) + (+2) != (+5)

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sobereva 发表于 Post on 2016-3-8 19:40:16
算吸附能只不过是计算结合能的一个特例罢了,是对于表面与小分子之间的结合而言的,都是ΔE=E(C)-E(A)-E(B)。

你说的背景电荷具体是指什么?Pd离子和背景电荷怎么联系起来?背景电荷是用来在量化计算时表达外界点电荷分布用的。

A和B结合怎么得到电荷为+5的多酸?结合了6个Pb?

对体系描述得不够清楚。
sobereva 发表于 Post on 2016-3-8 19:03:00
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