wzkchem5 发表于 2022-5-6 23:01 好的谢谢老师 |
Qing 发表于 2022-5-6 15:20 不能,必须统一用同一个溶剂模型。要么仍然用SMD继续试试消虚频,要么把A和B都换成用PCM优化 |
wzkchem5 发表于 2022-5-6 22:06 好的老师,还有一个问题,因为我想要计算的是A+B=C这个过程的自由能变化,A和B都已经在SMD模型下收敛了,而且得到了自由能校正值,C就是现在有问题的这个构型,如果对它在PCM下优化,那产生的自由能校正项,和前面A和B在SMD计算得到的自由能校正项,能同时带入到各个单体的总自由能计算,然后进行做差吗? |
Qing 发表于 2022-5-6 14:37 不需要,PCM对于结构优化来说精度一般够了 |
参与人数Participants 1 | eV +2 | 收起 理由Reason |
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一条君 | + 2 | 好物! |
ionexchangeC 发表于 2022-5-6 15:00 请问老师如果采用PCM收敛了之后,还需要以该几何结构和波函数为初猜在SMD下计算到收敛吗? |
优化到这一步时Hessian矩阵仍有本征值为负。 目测是SMD溶剂模型的锅(有可能导致假虚频),换成默认的PCM试一试 |
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