卡开发发 发表于 2022-9-17 14:30 收到，十分谢谢老师，我试试  |
本帖最后由 卡开发发 于 2022-9-17 14:34 编辑 zx4562430 发表于 2022-9-16 11:41 1、如果你要稍微可靠一点的结果，其实就用周期边界方法计算就行，400原子其实也不算那么多，siesta和dmol3我之前都做过这么大的CHNO（甚至有些还有Al、Si）体系，甚至可能12核心的老服务器就可以带得动。cp2k我没测试过具体效率，没办法给你建议。 2、你的体系如果确定不会和COF化学吸附，力场质量合适的情况也值得试试，半经验方法优势有限。 3、其实对角化+smear的方式（展宽合适的情况）是什么情况下都能够使用的，根据不同的问题不同展宽形式又有各自的优势；而OT才有上述限定。速度上，大体系通常OT会快一些，因为OT标度会低一些。 |
sobereva 发表于 2022-9-16 23:36  太详细了 谢谢社长大大 |
zx4562430 发表于 2022-9-16 11:41 这些说法不确切 对于某个体系，在二者都可以用的情况下，哪个速度快就用哪个。有时候对角化容易收敛，有时候OT容易收敛，而且还要考虑到对角化和OT每一步的耗时差异对总耗时的影响，以及OT用的preconditioner对耗时和收敛性的影响。GFN-xTB算大体系通常用OT，根据我的经验这是最优选择，也因此Multiwfn创建相应输入文件时默认用OT。 |
sobereva 发表于 2022-9-15 22:20 另外，sob老师，还想请教您下，对于这种cof纯非金属元素体系，使用cp2k计算时，scf收敛算法是选择OT还是对角化，有些说OT算法是黑科技，速度快，因为我们也只考虑了gamma点，有些说对于半导体或绝缘体使用OT算法，对于金属导体使用对角化的方法进行计算,并使用smear方法，这些表述是正确的吗？所以当前cof体系应该采用OT算法，虽然可能GFN1-xTB方法下可能两种scf收敛算法都很快。 谢谢您 |
sobereva 发表于 2022-9-15 22:20 明白了，谢谢sob老师指点，谢谢 |
wangxubo 发表于 2022-9-15 12:12 忘记xtb了，谢谢老师 |
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建议用CP2K，只考虑gamma点做GFN1-xTB的预优化，然后DFT进一步优化和计算结合能（算结合能时候可以再抠个簇模型出来用量化程序更准确计算，有更多方法可用）。至于CP2K计算时的模型，在平行于COF平面方向用原胞，垂直于COF平面方向平移复制N倍，令小分子和镜像间有足够大的距离。 这个小分子构象空间简单，手动在COF空腔里随意摆5~10个初始位置然后优化即可。不需要做构象搜索。 |
| 拿xtb糊弄糊弄得了 |
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