Red_Star 发表于 2024-7-31 13:56 楼主没给上下文，所以不清楚原文献具体的定义方式。大体来说，可以把这3N个数的平方求和，再开根号。但是开根号前也可以先除以N或者3N。我不知道哪种做法（不除、除以N、除以3N）是最常见的 |
| 参与人数Participants 1 | eV +5 | 收起 理由Reason |
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| + 5 | 谢谢 |
wzkchem5 发表于 2023-5-30 17:02 老师您好，那如何将3XN矩阵转换成楼主问题中所示的，用一个数值表达的形式？ 谢谢老师！ |
latterme 发表于 2023-7-20 13:00 可以，有两种计算方法：以T1为参考态计算；以S0为参考态，做瞬态吸收计算。至于什么情况下应该用哪种做法，由你回复的那个帖子的内容不难举一反三得到 |
wzkchem5 发表于 2023-5-29 15:50 老师您好，能否用这种方法计算T1态的吸收光谱呢？ |
iamjjLin 发表于 2023-5-30 13:45 0.2eV还可以，在TDDFT误差范围以内。但是激发能对上、自旋污染可以接受还不够，两种方法算出来的T2激发态成分也得能对上 |
wzkchem5 发表于 2023-5-30 17:02 好的，谢谢老师！ 老师，我使用ORCA计算T2&T1之间的NACME。针对其中的自旋污染，我根据资料想了些方法验证。 首先我使用T1结构用0 3进行激发，得到E(T2-T1)=0.75eV，而且该激发的S**2=2.06。 然后用同样使用T1结构用0 1进行激发，得到E(T2-T1)=0.55eV，该激发的S**2=2.00。 根据资料所说S**2不超过10%，自旋污染的影响就可以忽略，我算下来的结果属于这个范围。 但是我算下来的能量差有0.2eV，这会有影响吗？ 这个方法是我根据资料想出来的，如果有不对的地方，希望老师能指出，谢谢老师！ |
iamjjLin 发表于 2023-5-30 08:00 你截图上面的那个3*N矩阵才是。底下这些Norm, RMS, MAX NAC对于定性讨论IC速率的大小或许有用，但是对于定量计算，必须用完整的3*N矩阵。 单位是Bohr^-1 |
wzkchem5 发表于 2023-5-29 15:50 谢谢老师解惑！ 我按照上面的方法计算出了结果，如下图所示： 
老师，这些数据中哪个是NACME常数？单位是什么？ |
iamjjLin 发表于 2023-5-29 07:43 对，写1。但是很多体系不适合以T1为参考态算T2，因为（1）T2未必是相对于T1的单重激发；（2）以T1为参考态算T2可能有自旋污染。所以一定要确认你的体系是否适合以T1为参考态算T2，只有适合才能这么算，否则应该像我2楼所说用BDF算 |
wzkchem5 发表于 2022-10-22 15:59 老师您好！我想使用ORCA计算T1与T2之间的NACME，使用上面图片里的设置，0 3与T1结构做输入。但是我有一个问题，用这个设置进行计算时，T2的iroot是写1还是2？毕竟使用0 3后初始应该已经是T1了，再做一次激发应该是T2吧（个人推测）。 |
人心向背 发表于 2022-10-22 04:41 对，其他应该不用改 |
wzkchem5 发表于 2022-10-19 21:41 soga |
zjxitcc 发表于 2022-10-19 14:25 S-T的NAC是0，不用算。 当然如果要考虑SOC的贡献的话，可以算出非零值，但是这里要求没有自旋污染是SOC的要求，而不是NAC的要求 |
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