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在建立界面模型 HfO2/SiO2过程中，有三篇相关文献都采用了电中性界面，这种界面需要的条件比较苛刻，对于非晶SiO2更是如此，请问对于只跑正确几何结构，对能带不做要求，是否可以采用不是严格绝缘的界面模型？
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