求助：DFT计算HfO2/SiO2界面几何结构，是否必须保持界面处绝缘(电中性)？

查看数: 1399 | 评论数: 0 | 收藏 Add to favorites 0

关灯 | 提示：支持键盘翻页<-左右->

发布时间: 2022-11-10 15:38

在建立界面模型 HfO2/SiO2过程中，有三篇相关文献都采用了电中性界面，这种界面需要的条件比较苛刻，对于非晶SiO2更是如此，请问对于只跑正确几何结构，对能带不做要求，是否可以采用不是严格绝缘的界面模型？

		自动登录 Automatic login	找回密码 Forget password
密码 Password			注册 Register

求助：DFT计算HfO2/SiO2界面几何结构，是否必须保持界面 处绝缘(电中性)？