卡开发发 发表于 2023-1-19 16:07 大佬~表面的K点收敛性测试和单胞的方式是一样的吗?单点能测试计算~ 再就是金属体系的一般比较难收敛同时需要的K点多一些;层高足够厚的情况下性质基本上收敛,对k的需求也就一致了,能不能直接选择我金属表面层数最多的那个进行一次收敛性测试,最后我直接依照这个来进行表面的优化 ![]() |
本帖最后由 卡开发发 于 2023-1-20 10:22 编辑 江淮sh 发表于 2023-1-19 22:22 有可能会,但是大多数情况不太会差很多(这是因为有些体系单层和多层的金属性表现不一样可能会导致类似问题)。尤其是层高足够厚的情况下性质基本上收敛,对k的需求也就一致了。而且通常非金属性体系k收敛还是比较快的,只有金属性的体系需要小心,但给予合适的展宽(smearing)形式和大小原则上应该也能使得k加速收敛。如果你要比较不同层高的,其实这些体系之间各自都测试收敛到1~10meV/atom即可,不需要完全一致。 |
卡开发发 发表于 2023-1-19 16:07 感谢大佬,这个是我没考虑到的(我仅仅参考文献的设置方式即我上面说的那种表面K点设置方式),但是我存在一个疑问--若是按照您讲述的方法进行测试,是否不同层数的表面会有不同的K点值,这个需要如何选取呢?不同的层数表面(不同K点值)进行表面弛豫的结果是否不具备可比性了~亦或者:针对不同层数表面进行单点能测试选取K点密度最高的一个对各个表面进行表面弛豫计算? |
本帖最后由 卡开发发 于 2023-1-19 16:10 编辑 江淮sh 发表于 2023-1-19 15:46 果然问题就在这了,表面体系最好是重新测试下,有时候会有差别,即便相同的体系进行扩胞也应当保持相同的k-spacing。 你可以按照单胞测试下来的k-spacing大概来估计表面k点的使用,大致上相同的k-spacing下k点数目和晶格长度呈反比,比方铜单胞的边长是3.61A左右,k大概要11x11x11,那么假定4x4的Cu001表面大概k点可以从3x3x1开始往上测,这样可以省一些时间。 smearing看情况,金属体系可以适当大一点,同时要关注输出的free energy和energy差值情况,如果过大则需要减小smearing增加k点密度。 自洽场或结构优化的时候,empty bands只需要把价电子能排到足够的轨道的基础上额外再多一些就行(自旋极化的情况空带可能要多一些),如果求解过程当中遇到不稳定再做调整比较好。 |
卡开发发 发表于 2023-1-19 15:01 我测试是单胞的,表面体系还需要重新测试K点嘛?我以为只需要在单胞基础上者只为n*n*1就可以了。smearing和Emptyband一般比例是多少呢? |
江淮sh 发表于 2023-1-19 10:28 你测试是做在80原子那个体系上面的?适当放大点smearing看看,比方0.2eV,金属体系一般k点收敛会比较慢。 |
江淮sh 发表于 2023-1-18 13:01 D:\desktop\6de12e0cccf19fae224e1316a281e68.png |
卡开发发 发表于 2023-1-18 12:58 好的,明白了,我按照您的方式再测试一下。 |
江淮sh 发表于 2023-1-18 12:44 总能的话太严格了, 而且晶胞的总能是广度量,没办法直接比较。 |
卡开发发 发表于 2023-1-18 12:01 感谢大佬,我在进行一次K和custom的收敛性测试,之前我针对K和custom收敛性测试是根据其前后差绝对值分别小于0.001ev和0.01ev进行测试的。 |
江淮sh 发表于 2023-1-18 10:26 收敛性测试做到总能/原子数<1~10meV即可。如果还是达不到这个标准适当放大一些smearing的值,如果还不行就更改展宽形式(默认是Gaussian)。目前原因不算很明确,只能从参数合理性大概做些调整先看看。 |
卡开发发 发表于 2023-1-18 09:01 您好~我在做收敛性测试的时候K是到10收敛我选择的是11。对比相似的论文他们的K点与我的也相同 ,这个K点密度过高计算量上升,是会引发这个错误嘛![]() |
| k点太密了,应该不需要这么多,可以适当测试然后选择一个精度足够的。 |
手机版 Mobile version|北京科音自然科学研究中心 Beijing Kein Research Center for Natural Sciences|京公网安备 11010502035419号|计算化学公社 — 北京科音旗下高水平计算化学交流论坛 ( 京ICP备14038949号-1 )|网站地图
GMT+8, 2026-2-20 23:59 , Processed in 0.174667 second(s), 25 queries , Gzip On.