本帖最后由 BBH 于 2023-4-23 17:10 编辑 DesignChemistry 发表于 2023-3-16 20:51 老师，您好，我最近又遇到了一些问题想请教一下您，我再算ITO吸附能计算，首先构建的晶面是In2O3的（100）面，选取的是In终止面，为了不破化化学计量比，所以在切面时top值为0.033，thickness值为1，并且对In原子和O原子均加了U值，分别为3eV和5eV，切出来的面包含8层原子，为极性表面，所以我进行了偶极修正（只是在calculation里勾选了self-consistent），固定了下面的四层原子，真空层厚度为20A，但是在优化前后原子的整体位置进行了移动，想问一下我这种情况正确吗，计算时core选择了32，跑了一天了也之跑出一个点，也能否麻烦您帮我看一下我的参数设置是否正确，同时也想问一下，对于这种极性表面，若不加偶极修正，对计算吸附能、能带结构、PDOS以及mulliken有影响吗？麻烦老师了。 （材料我补充在了一楼） |
DesignChemistry 发表于 2023-3-26 22:11 好的，谢谢老师 |
BBH 发表于 2023-3-26 10:13 不考虑温度影响的话，算出来的电子能量（E）直接减就行了，算电子能量无法考虑温度 需要考察温度影响的话，建议AIMD |
DesignChemistry 发表于 2023-3-21 16:15 老师，您好，我还有一个问题想请教一下，就是ITO吸附一般是在较高温度下进行的，在用castep计算吸附能时，可以从哪里修改温度吗，我在网上搜索没有搜索到 |
DesignChemistry 发表于 2023-3-21 16:15 好的，谢谢老师 |
BBH 发表于 2023-3-20 16:43 自旋没必要开；+U与否 看你后边需不需要进行电子结构的分析，以及多找些文献看看LDA/GGA级别描述的偏差有多大。我当时的体系只算个吸附能和自由能台阶图，就没有加；如果后边需要DOS、能带之类的分析，应该从几何优化就开始加 |
reid 发表于 2023-3-16 23:10 好的，谢谢老师 |
本帖最后由 BBH 于 2023-3-20 16:50 编辑 DesignChemistry 发表于 2023-3-16 20:51 好的，谢谢老师，最近在忙别的事情，就没有怎么登这个网站，不好意思这个时候才看到消息，同时我也想问一下老师一个问题，就是老师在对In2O3进行的几何优化过程中，有选择自旋或者LDA+U吗，因为我看的一些参考文献里面有用LDA+U去对SnO2进行几何优化，但是Sn和In一样都是主族元素，师兄告诉我对于主族元素不需要用这些去加长计算时间，想问一下，老师是怎么选择的 |
| 初始结构中，为什么不让SO2躺下？上几天用cp2k算二水合铊，发现如果站着，容易跑散，也不容易收敛；让它们躺下则容易地多 |
BBH 发表于 2023-3-16 20:26 在我做过类似的主族金属氧化物体系（如In2O3）中，结构优化用收敛性测试得到的值就够用了，基本只微小地影响数值，没遇到过影响SCF和几何优化收敛的，升高并不会有明显增益。 |
DesignChemistry 发表于 2023-3-16 16:58 好的，谢谢老师，提高截断能是因为我去问组里面一个也用MS的师兄，师兄说提高截断能试一下，他之前就是靠提高截断能成功的。 |
BBH 发表于 2023-3-14 18:04 抱歉这两天忙着干实验qwq 最后的这个新问题不像是计算本身问题，可能是超算问题，这个我没经验（一直都是自装机跑计算） 有个疑问是，你似乎一直执着于提高截断能呢？可以考虑k点的调整，有时用Gamma点会让受力计算粗糙、力震荡而不收敛（个人经验） |
含光君 发表于 2023-3-14 20:48 老师，我之前发现了输入输出文件的问题，后面已经修改过了，如果您有时间，还劳烦您再看一次 |
BBH 发表于 2023-3-14 18:04 感觉是在超算使用上存在一些问题，这个就没法儿具体地判定哪个环节出错了。而且你给的输入输出文件都是同一份输入文件。 |
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