zhuyl 发表于 2023-4-20 21:38
我做了基本的几个赝势测试，在ggapbe下的，像图片里的组合，标黄的组合得到了0.38eV的带隙，但是很纠结总 ...

能量稍微高一些意味着更少的电子作为价层参与计算，这种赝势有可能会出现我提到的可转移性比较差，即能够适用的体系比较有限。In-00.recpot的赝势文件当中有相关的一些描述你可以看看，凑数凑出来的gap 0.38 eV不一定合理，有可能能带结构是不正确的。

综合以往测试集，OTFG的USPP很可能给出PBE下比较合理的结果，以及Materials Project上也给出了gap为0的结果，可以进行对照。如果对这些结果也不信任，那么应当使用全电子计算的结果作为参考（例如Wien2K或者ELK），原则上说赝势计算要复现全电子计算的结果，选择赝势也是按照这个原则。

另外这个体系从测试结果上说HSE06没那么糟糕。其他方法本质上都比较接近，HSE的痛点是ω选取仍然是经验性的，但相对来说操作上就稍微黑箱化一些。

leeru 发表于 2023-4-20 18:22
HSE06不保证可以获得准确的带隙，试试koopmans这个qe的软件包，可以算出与GW一样精度的带隙，而且对IP和EA ...

好的谢谢您，我查查这个方面

HSE06不保证可以获得准确的带隙，试试koopmans这个qe的软件包，可以算出与GW一样精度的带隙，而且对IP和EA都算的比较准

卡开发发 发表于 2023-4-20 14:30

确实是赝势有很大问题，我重新分别测试一下了In和Zn的赝势文件，有所改善，只是精度我打算再提高一点，谢谢卡哥

卡开发发 发表于 2023-4-20 14:30

非常谢谢您，学习到了，我再调整调整。

zhuyl 发表于 2023-4-20 13:47
我还是没有跑出来和您这个类似的，至少能说明是窄带隙的结果。我的理解是，从定量上确实还有很多慢慢调整 ...

1. task : ElectronicSpectroscopy
   
2. spectral_task : BandStructure
   
3. continuation : default
   
4. comment : CASTEP calculation from Materials Studio
   
5. xc_functional : HSE06
   
6. spin_polarized : false
   
7. opt_strategy : Speed
   
8. page_wvfns :        0
   
9. cut_off_energy :      544.200000000000050
   
10. grid_scale :        1.750000000000000
    
11. fine_grid_scale :        2.100000000000000
    
12. finite_basis_corr :        0
    
13. elec_energy_tol :   1.000000000000000e-006
    
14. max_scf_cycles :      100
    
15. fix_occupancy : true
    
16. metals_method : dm
    
17. mixing_scheme : Kerker
    
18. mix_charge_amp :        0.200000000000000
    
19. mix_charge_gmax :        1.500000000000000
    
20. nextra_bands : 0
    
21. num_dump_cycles : 0
    
22. spectral_nbands :       32
    
23. spectral_eigenvalue_tol :   1.000000000000000e-005
    
24. calculate_stress : false
    
25. calculate_ELF : false
    
26. popn_calculate : false
    
27. calculate_hirshfeld : false
    
28. calculate_densdiff : false
    
29. pdos_calculate_weights : false
    
30. spectral_write_eigenvalues : true

复制代码

卡开发发 发表于 2023-4-19 14:06
我测试了一下，按你那个路径做出来HSE06结果是0.126 eV

晶胞我没优化，参数也没测试，MS的路径不是 ...

我还是没有跑出来和您这个类似的，至少能说明是窄带隙的结果。我的理解是，从定量上确实还有很多慢慢调整的参数，但是定性上我没得到有打开带隙或者看起来偏差不大的带隙，就像您这个感觉就挺合理的。您这个大概的参数是咋样的您还记得吗，就HSE06 OTFG模守恒，还有什么特别的参数吗

zhuyl 发表于 2023-4-19 13:03
还是有点不太理想，OTFG的模守恒下算出600eV，9x9x9，然后GGAPBE结构优化的能带看不出带隙。我再用这个结 ...

我测试了一下，按你那个路径做出来HSE06结果是0.126 eV

晶胞我没优化，参数也没测试，MS的路径不是好的，但应该包括了该有的k点。

zhuyl 发表于 2023-4-19 13:03
还是有点不太理想，OTFG的模守恒下算出600eV，9x9x9，然后GGAPBE结构优化的能带看不出带隙。我再用这个结 ...

GGA-PBE正常结果gap应该是0 eV（Materials Project结果），如果用你用那个模守恒赝势结果PBE算出来的gap是1.2 eV，动能截断和k点我也调整过，包括In换成01的recpot也不行，那么显然可能那个赝势的可转移特性不行并不适合你要研究这个体系。

zhuyl 发表于 2023-4-19 10:24
我进行了新一轮测试，GGAPBE 模守恒，截断能和k点精度在0.01eV，450eV和8*8*8，得到的能带1.656eV，和理 ...

我测试了一下，应该是赝势问题，你换OTFG的模守恒。另外，HSE06计算是比较昂贵，除了算能带结果还行，结构优化犯不上用HSE06做。

卡开发发 发表于 2023-4-19 06:29
模守恒赝势的动能截断大概率400eV是不够的，你可以测试看看。

我进行了新一轮测试，GGAPBE 模守恒，截断能和k点精度在0.01eV，450eV和8*8*8，得到的能带1.656eV，和理论的0.24eV还是区别蛮大的吧

卡开发发 发表于 2023-4-19 06:29
模守恒赝势的动能截断大概率400eV是不够的，你可以测试看看。

实际上为了避免这个我试过设置1000eV，但是由于HSE06计算时间太长了，用的是GGAPBE。关于这里我再验证一下。那么假如我得到个合理的GGAPBE截断能，在都使用同样的赝势比如模守恒，是否可以直接套用到HSE006呢？