Pamela 发表于 2023-5-1 15:16 我也不太清楚这些问题,哎,我目前还没有加偶极校正 |
BBH 发表于 2023-4-24 14:51 请问偶极校正是加在哪一步?只在自洽加还是优化自洽都需要加?如果后续还要算能带,能带里也需要加偶极校正参数吗? |
WilliamH 发表于 2023-4-27 11:02 好的,谢谢老师 |
BBH 发表于 2023-4-26 19:57 我是研究热催化的,涉及到知识盲区了。 |
BBH 发表于 2023-4-25 09:05 我之前计算遇到过这种情况,但我没有深究,具体的原因是什么我也不能很明确地告诉你。 |
本帖最后由 BBH 于 2023-4-25 09:18 编辑 WilliamH 发表于 2023-4-25 08:50 好的,谢谢老师,还有一些疑问想问一下,我昨天计算了In2O3的(110)面,计算了它的能带结构,发现禁带宽度很明显的减小了,想问一下这种情况正确吗,是什么原因导致的呀,非常感谢老师。 |
BBH 发表于 2023-4-24 14:51 属于。固定底层,弛豫表层。 |
本帖最后由 BBH 于 2023-4-24 15:17 编辑 WilliamH 发表于 2023-4-24 12:38 好的,非常谢谢老师回答了我的疑问,同时也想问一下,您上面所说的小分子,我去搜索了一下,说是小分子是一个有机化学概念,一般将分子量小于900道尔顿的有机化合物分子称为小分子,想问一下那SO2、NO2这种也属于小分子吗,同时也想问一下,因为我只计算单侧吸附,也仅仅对单侧吸附的一面进行Sn原子掺杂,如果采用偶极校正后,因为优化后表面会整体移动到中间,想问一下,我是固定底层三层原子,弛豫上三层原子,再将气体分子移动的单侧吸附的那一面,进行计算,还是只固定中间两层原子,弛豫两个表面,再将气体分子放到单侧吸附的那一面呀。我对这方面不太了解,有较多疑问,麻烦老师了。 |
BBH 发表于 2023-4-24 11:29 严格来说是要考虑偶极校正的,特别是吸附小分子本身就存在偶极矩的情况下,为了保险起见是需要挑几个吸附吸附结果对加和不加偶极校正进行测试的(但据我所知这种修正通常对吸附能影响不大)。如果我没理解错的话,你的意思是一天只算了一个scf,这个计算速度就太慢了,比如原子数是不是太多了?截断能和k点数是否合理?切表面之后可能会使得其“禁带消失”,适当增加一些空带有助于收敛。 |
参与人数Participants 1 | eV +2 | 收起 理由Reason |
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ycl0426 | + 2 |
本帖最后由 BBH 于 2023-4-24 11:43 编辑 WilliamH 发表于 2023-4-24 09:30 好的,非常感谢老师的解答,我还有一些疑问想请问一下,如果只计算晶面的单侧吸附(只算一个面的吸附),需要考虑偶极修正吗,跑了一个点是指算了一天过后,只算完了一次收敛循环,截断能的取值是看的参考文献里面的取值,以及想问一下,为什么不勾选fix occupancy呀,是在计算切面的几何优化的时候就不勾选还是在计算原子掺杂时不勾选或是计算气体吸附时不勾选,麻烦老师了。 |
勾选偶极矫正,优化时表面整体移动到中间是正常情况。“跑了一天也只跑出一个点”,不太清楚你指的是什么。就k点而言,至少在真空层方向取1即可;不知道你的截断能是否经过测试,感觉不太够;+U和偶极矫正都会增加收敛的难度;如果是研究小分子吸附,需要加上色散矫正(DFT-D);不勾选Fix occupancy;偶极矫正对部分结果的影响论坛里之前有过讨论,可以搜索一下,最好结合自己的进行体系测试。 |
参与人数Participants 1 | eV +2 | 收起 理由Reason |
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ycl0426 | + 2 |
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