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求助计算的能带结构gap较大与文献差别大

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发布时间: 2023-6-18 21:06

正文摘要:

在重复文献中的算例。得出结果发现在0能级附近差别很大，文献中是过了0能级线，是因为INCAR参数有问题吗，还是其他原因，另外我修改了ISMEAR=1,发现没变化，我贴出了对比图和参数设置，求助各位老师看一看

回复 Reply

jiangning198511 发表于 Post on 2023-6-20 08:45:45

noman 发表于 2023-6-19 13:50
晶格常数和文献是一样的

调整一下ISMEAR看看，手册里面对半导体建议用-5

noman 发表于 Post on 2023-6-19 13:50:02

jiangning198511 发表于 2023-6-19 09:15
你优化的结构和文献对比了吗？

晶格常数和文献是一样的

jiangning198511 发表于 Post on 2023-6-19 09:15:26

你优化的结构和文献对比了吗？

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