乐平 发表于 2023-7-2 21:03
提问的时候能不能把你要问的内容想清楚，思路整理通顺，在发表之前读至少两遍，问一下自己说清楚没有之后再 ...

谢谢老师，比较急。忘了严谨性了。

提问的时候能不能把你要问的内容想清楚，思路整理通顺，在发表之前读至少两遍，问一下自己说清楚没有之后再发表？

你这样没头没尾地一句，谁能看懂说的是什么？

从你截图的内容看，应该是博文 http://sobereva.com/434 的图，位于

到此，对NH2-biphenyl-NO2这个体系的S0->S1激发的空穴-电子框架中的各种分析已经完整做了一遍。如果想再分析其它激发态，通过选项0退回到主功能18的菜单中，再次进入空穴-电子分析功能，然后选择相应激发态即可。这里我们把这个体系所有算出来的5个激发态的D、Sr、H、t指数以及空穴-电子库仑吸引能放在一起对照。之前还没讨论过的空穴离域指数(HDI)和电子离域指数(EDI)也一并给出了：

上述引用文字的下方就是你的截图。

如果你想问的是这个截图表格里的数据是如何获得的，那么，你可以根据博文  http://sobereva.com/434 里的 4 空穴-电子分析实例，从头到位做一遍，就可以得到表格第一行数据（S0 —> S1）的结果。

后面各列的 S0 —> S2，S0 —> S3，S0 —> S4，S0 —> S5 需要重复上述操作，只不过在

1. D-pi-A.fchk  //首先载入含有参考态波函数信息的文件
   
2. 18  //电子激发分析
   
3. 1  //空穴-电子分析
   
4. D-pi-A.out  //Gaussian输出文件，里面含有空穴-电子分析需要的组态系数信息
   
5. 1  //首先我们分析基态(S0)到第1激发态(S1)的电子激发特征

复制代码

上述贴出来的最后一步改成 2， 3， 4， 5 来分别分析S0 —> S2，S0 —> S3，S0 —> S4，S0 —> S5

阅读的时候仔细一点，同时动手操作，再思考一下，应该不难。