wzkchem5 发表于 2023-7-18 17:34 谢谢老师指教,我去试一试 |
ljq555 发表于 2023-7-18 10:12 不能。CAM-B3LYP只是算CT态的时候一般比B3LYP准(即使这个也不是100%成立的),算LE态的时候CAM-B3LYP常常更不准。所以首先光更换泛函而不检查激发态成分肯定是不行的;其次如果检查发现B3LYP的S1态确实是CT态,那你这个计算结果可以在一定意义上说明实际的S1态大概率更接近CAM-B3LYP的成分,但是仍然不如用双杂化泛函或DLPNO-STEOM-CCSD做激发态计算靠谱 |
KSeGaSn 发表于 2023-7-18 15:57 多谢赐教,T1的优化那里粗心打错了,以0 3优化基态后就后续就不优化了,已在文中更改。深入请教一下S1的处理,这个是我在看一篇帖子的时候看到S1振子强度很低可以用更换泛函的方式证明是不是暗态,但是如果 B3LYP计算S1振子强度很小,cam-B3LYP计算S1与B3LYP的S2一样,就一定可以说明cam-B3LYP的结果更准确吗 |
前提:看你关注的ΔEST到底是什么,对于TADF这样我比较关注的延迟荧光体系,大家常说的单-三重态能级差是S1和T态之间的绝热能量差(因为要服务于速率的计算),然后你再看你需要计算什么样的能量差和什么样的计算逻辑。 其次:“先优化基态S0,在此结构下优化S1;然后用电荷和自旋多重度分别为0 3优化S0,再以电荷和自旋多重度为0 1优化T1” 中间“0 3 重新优化S0”,这已经是在用UKS的方法来优化T1了,根本不需要再次“设置为0 1优化T1”而应该是得到优化后的T1结构、设置为0 1进行激发态的计算(通常来讲 TD)。 1. 计算【垂直激发的】S1和T1时基态没什么不一样的(都是你优化后的S0结构);计算【优化的极小值点】S1和T1时【结构】不一样那是肯定的。绝热的S1和T1的ΔEst是【分别优化后的】S1和T1激发态的能量作差,垂直的ΔEst是用激发能作差,但也得说明到底是基于什么结构的; 2. 振子强度很小不算什么大问题,和荧光量子产率也没什么完全正相关的关系。泛函的选择看社长的其他博文。 3. “绝热△EST与实验更吻合”有一定合理性,SOC则是需要指定结构的,选择不同的结构就是针对不同过程的不同旋轨耦合矩阵元。 |
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