卡开发发 发表于 2024-1-24 10:32 好的,,我下去查查相关文献。您讲的内容我受益匪浅,在此诚挚的感谢卡卡老师 ![]() |
jiangweiwei 发表于 2024-1-24 09:29 这个你可能得看功函数相关的讨论,我手头上暂时没文献。 |
卡开发发 发表于 2024-1-23 15:29 明白了,卡卡老师,还想请您可以推荐几篇关于真空能级校正的相关文献 ![]() |
jiangweiwei 发表于 2024-1-22 18:59 你可以参考一下功函数是咋算的,这种情况下一般会将Evac平移到0,即每个能级平移-Evac。 |
卡开发发 发表于 2024-1-19 13:34 "真空能级则是对表面来说取真空区域中心处静电势与0对齐" 可以请卡卡老师讲一下真空区域中心处静电势与0对齐这个步骤怎么操作吗?新手小白不是很了解,谢谢老师!感激不尽! |
jiangweiwei 发表于 2024-1-18 11:08 Fermi能级很多后处理程序就是按照价带顶定义的,一般对绝缘体来说本身Fermi能级的意义也不太大,如果你要获得一个相同的能级标准,在深s能级惰性的情况这样做没什么问题。真空能级则是对表面来说取真空区域中心处静电势与0对齐,这招行不通的情况是上下表面不对称的情况,对齐的方法其实vasp手册上也给出一种,具体怎么做要看讨论的问题是什么。 |
卡开发发 发表于 2023-12-16 00:17 是的,卡卡老师,都是锐钛矿TiO2{101}和{001}晶面,另外我在小*虫看到您之前回复的类似问题的解决方案是:可以将体相Ti原子深能级s能级看做不参与杂化,用这两个晶面体相的Ti原子s能级对齐,进行人为的校正,我目前是这样操作的,这样两个晶面的费米能级大概都处在价带顶,请问卡卡老师这样做是否也是合理的? 还有一个问题,您之前提到的真空能级是如何实操的呢? 谢谢卡卡老师,最近没上论坛,回复的有些晚了。 |
jiangweiwei 发表于 2023-12-8 09:27 1、因为表面原本成键的原子键被打断,这些电子或是配对或是不配对(有些人称之为悬键,或者也可以说是表面态)能量都会比较高,原本禁带区域中多出现一些这样的状态,带隙因此减小。 2、文献的结构和你也不一样啊,你俩是同一个相? |
| 你这个结构自洽用441的k点太密了,很有可能是内存不够。我上面说的2-3倍是在态密度计算时的k点 |
| 从你给的信息看不出错误的原因,但是state还是running |
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