计算化学公社

 找回密码 Forget password
 注册 Register

求助 缺陷能级在能带间隙中的问题

查看数: 745 | 评论数: 3 | 收藏 Add to favorites 0
关灯 | 提示:支持键盘翻页<-左 右->
    组图打开中,请稍候......
发布时间: 2023-12-20 22:15

正文摘要:

本帖最后由 xmuqyj 于 2023-12-26 19:48 编辑 我目前在做氮缺陷C3N4,用的是HSE杂化泛函做能带,能带图由vaspkit252输出。 我有两个问题,一能带图的能带间隙要忽略缺陷能级吗,我看了两篇文献,处理方法不一 ...

回复 Reply

小包 发表于 Post on 2024-10-9 17:58:01
请问您解决了吗,我也遇到了同样的问题,没有找到您发的K@C3N4这篇文章能发我一下吗,十分感谢
卡开发发 发表于 Post on 2023-12-22 02:05:15
xmuqyj 发表于 2023-12-21 21:51
@卡开发发 请老师不吝赐教!!

谈不上赐教,这个问题了解有限,仅讨论一下。
1、这部分内容你可以好好看一下半导体物理的书,计算程序给出来的gap一般是根据电子占据情况来的,和半导体物理上的定义不完全一样,不过对于电离能或电子亲和能的讨论应该不会有什么影响。
2、不同文献的Ef在处理的时候有可能会不太一样,有些是Ef移动到0,有些是Ev移动到0,或者算出来啥样就那么放上去的,得看看图注怎么说。最后那副图比较奇怪,gap上方的能级至少看上去是比0小的,并不太清楚作者实际怎样处理。

评分 Rate

参与人数
Participants 1
eV +4 收起 理由
Reason
xmuqyj + 4 谢谢

查看全部评分 View all ratings

xmuqyj 发表于 Post on 2023-12-21 21:51:22
@卡开发发 请老师不吝赐教!!

手机版 Mobile version|北京科音自然科学研究中心 Beijing Kein Research Center for Natural Sciences|京公网安备 11010502035419号|计算化学公社 — 北京科音旗下高水平计算化学交流论坛 ( 京ICP备14038949号-1 )|网站地图

GMT+8, 2024-11-23 16:47 , Processed in 0.241165 second(s), 27 queries , Gzip On.

快速回复 返回顶部 返回列表 Return to list