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vasp中表面态密度dos计算后如何处理表面电子态,进而分析带隙?

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发布时间: 2023-12-21 01:23

正文摘要:

本帖最后由 Rean 于 2023-12-21 01:25 编辑       大家好,本人近来需要用vasp计算γ-CuI的体相结构和表面结构的态密度和带隙,使用的是PBE0杂化泛函。 文献中,使用PBE0计算γ-CuI体相的带 ...

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123wo 发表于 Post on 2023-12-21 16:10:45
123wo 发表于 2023-12-21 16:09
要是费米能级处没太有能态的话,那估计它的催化效果也不太好

准确的说,应该说是费米能级附近更好,可能费米能级上没有态,但是附近有也行
123wo 发表于 Post on 2023-12-21 16:09:46
要是费米能级处没太有能态的话,那估计它的催化效果也不太好
Rean 发表于 Post on 2023-12-21 13:36:37
123wo 发表于 2023-12-21 10:07
有没有可能,表面本身就不是半导体呢,变成导体了

是由这个可能,我欠考虑了,感谢
123wo 发表于 Post on 2023-12-21 10:07:27
有没有可能,表面本身就不是半导体呢,变成导体了

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