hebrewsnabla 发表于 2024-1-3 16:28
SDD基组搭配SDD赝势和def2基组的差别就是这么大，因为前者用了赝势。

你的“orca自定义SDD基组”不知 ...

谢谢老师的回复，我的ORCA-SDD基组雁势是调用内置的SDD赝势，电子基组是在BSE下的。另外结合楼上几位老师的建议，我现在在重新整理计算结果.

love_yy 发表于 2024-1-2 22:51
ORCA自定义了SDD基组算A的单点我也试过，也是7000多。而且其他原子基组之间的差异绝对没有这么大，我想表 ...

SDD基组搭配SDD赝势和def2基组的差别就是这么大，因为前者用了赝势。

你的“orca自定义SDD基组”不知道有没有正确指定赝势。

当前这些计算不一样的因素有一箩筐，没有比较的意义。控制变量法先降到只差一个因素（除了程序不同外）再说。

既然要拿两个程序对比，先把所有能统一的尽量全都统一了再说，把可能导致差异的因素控制在尽可能小的范围内，诸如都用PBE0/def2-TZVP，ORCA里不开RIJCOSX等等。Gaussian和ORCA的SMD的极性部分一个是IEFPCM一个是CPCM，光从这点上也有明显差异。

另参考
谈谈不同量子化学程序计算结果的差异问题
http://sobereva.com/573（http://bbs.keinsci.com/thread-20122-1-1.html）

至于哪个准确，必须结合具体问题才能说，要交代算单点能的目的是干嘛用

hebrewsnabla 发表于 2024-1-2 22:07
基组不一样无法比较。另外，你的高斯计算中大概Cu也没有采用一致的基组。

ORCA自定义了SDD基组算A的单点我也试过，也是7000多。而且其他原子基组之间的差异绝对没有这么大，我想表达的是这个悬殊差的很大，刚好是Cu离子在SMD模型中的单点能，也很巧合，会不会是我哪里设置问题或者是其他的哪方面问题？

基组不一样无法比较。另外，你的高斯计算中大概Cu也没有采用一致的基组。