| 请问您会判断VBM和费米能级的相对位置了吗？ |
zhangbo11011 发表于 2024-11-11 20:57 书上说的应该没啥问题。不过书上简化了太多，而书上提到的条件计算当中也不能达成。上面问的事情意思就是，其实并非要通过Fermi能级位置去判断，我们可以回归N-或P-型半导体以及本征半导体自身的差异上。 |
卡开发发 发表于 2024-11-11 20:08 是的老师，在半导体物理中，这个本质不就是费米能级靠近VBM为P-type,费米能级靠近CBM为N-type,我理解是不是有问题欸，我感觉还是得回归到费米能级在带隙中的位置，哎，已经对书中的知识产生怀疑了 |
zhangbo11011 发表于 2024-11-11 19:21 p型还是n型应该是相对本征半导体来做比较？ |
卡开发发 发表于 2024-11-11 18:09 老师，那怎么判断P型还是N型半导体啊？ |
zhangbo11011 发表于 2024-11-11 16:30 我的意思是你不要去找那个Fermi能级与其他能级相对的位置了，能级对齐根本不用Fermi能级的信息，我不清楚你为什么要这么做，如果感兴趣你可以好好找几篇正经文献看看。 并且，对于一般的计算而言是为了得到0K的电子结构，这种情况半导体严格说不存在Fermi能级，所以显示的Fermi能级到底在VBM还是在VBM和CBM之间其实不是太重要，因为根本没意义。 |
卡开发发 发表于 2024-11-11 11:13 是的，如您所说，可在CASTEP里，费米能级和CBM/VBM的相对位置找不到，老师，它不像VASP是整体平移，而是费米能级设置在价带顶处，老师，您可以说具体一点嘛，谢谢您了  |
本帖最后由 卡开发发 于 2024-11-11 11:15 编辑 zhangbo11011 发表于 2024-11-11 09:47 半导体0K下的Fermi能级没有实际意义啊，所以其实只要看VBM/CBM相对位置就行了。事实上也有算出来那些带之间的相对位置有实际意义。 |
| 参与人数Participants 1 | eV +3 | 收起 理由Reason |
|---|---|---|
|
| + 3 | 谢谢 |
卡开发发 发表于 2024-2-28 14:32 卡老师，双修VASP和CASTEP后，我有个问题，就是VASP只是将费米能级和能带平移了（以费米能级为0 eV），还可以辨别费米能级与VBM/CBM的相对位置，可以分析能带对齐等等。可是CASTEP不仅以费米能级为 0 eV,还将价带顶和费米能级位于 0 eV,这样的话，我还如何分辨费米能级与VBM/CBM的相对位置呢？求卡老师指点，谢谢您 |
洲洲学材料 发表于 2024-2-28 15:03 我建议你参考10.1103/RevModPhys.86.253，是你这篇文章引用的文章，你可以稍微仔细看下。 |
| 参与人数Participants 1 | eV +1 | 收起 理由Reason |
|---|---|---|
|
| + 1 | 谢谢 |
卡开发发 发表于 2024-2-28 18:12 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.94.195203 |
洲洲学材料 发表于 2024-2-28 15:03 这个公式看起来有点奇怪，不妨给个文献的doi。 |
本帖最后由 洲洲学材料 于 2024-2-28 15:23 编辑 卡开发发 发表于 2024-2-28 14:32 老师，我还有几个问题想请教您，刚上传的图里面是氧化镓掺杂W的形成能计算公式 1.第一项W替换Ga的q在castep里是如何体现的； 2.第五项电子化学势部分，EFermi上面已经得到了，但是EVBM在文件里体现在何处； 3.castep计算的bandstructure的Efermi默认在0处，跟上面提到的Efermi是什么关系，是不是代表着价带顶也在上面提到的Efermi处？ |
手机版 Mobile version|北京科音自然科学研究中心 Beijing Kein Research Center for Natural Sciences|京公网安备 11010502035419号|计算化学公社 — 北京科音旗下高水平计算化学交流论坛 ( 京ICP备14038949号-1 )|网站地图
GMT+8, 2025-8-16 18:54 , Processed in 0.422639 second(s), 26 queries , Gzip On.
组图打开中，请稍候......
收藏 Add to favorites