首先计算缺陷形成能不建议开启晶胞优化ISIF=3，建议改成ISIF=2；第二这个报错可以尝试加上ADDGRID=TRUE试试可能会消失；接着就是考虑SOC，我一般不考虑SOC，考虑SOC的时候要加上AMIX     = 0.03，BMIX     = 0.0001之类的具体设置；另外带电体系一般用的是引入背景电荷，通过设置NELECT的方法，通常将中性条件下的CONTCAR作为初始条件可以加快收敛以及避免一些不必要的报错；还有就是计算出来是负的和你的I原子化学势选取有很大关系，设置也都需要保持一致；收敛很慢。Accurate加上SOC和这么高的能量标准肯定很慢啊，M和10-5足够了

形成能为负可能是化学势范围没取对；收敛慢是对于带电体系，其能量随超胞尺寸的增大而出现的正常问题，好像需要校正；这部分就是Ecorr；    最近我也刚开始学形成能的计算，可能说的不对，请参考；另外您现在知道怎么算Ecorr了吗，我看大部分用的FNV方法。