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求助计算SOC能带的过程和结构的关系问题

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发布时间: 2024-3-6 21:58

正文摘要:

在使用VASP计算SOC能带时,一个是使用1x1的晶胞(第二张图)出现了Rashba劈裂现象,而使用2x2的晶胞(第一张图)计算只有右半部分发生劈裂。想请教各位老师SOC的计算过程和采取的结构关系是怎样的呢?

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万里云 发表于 Post on 2024-3-7 11:23:23
本帖最后由 万里云 于 2024-3-7 11:24 编辑

有个问题,Rashba效应是由电场z方向的梯度导致的。材料如果不放在衬底上,上下表面对称,还有Rashba效应吗?
VASP里面貌似考虑的是中心势场形式的SOC(L*S)。这种虽然也能导致能级劈裂和面内自旋分量,但本质上不是同一个东西。考虑Rashba效应要用紧束缚模型。

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