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发布时间: 2024-4-7 13:43
正文摘要:本帖最后由 logzzz 于 2026-3-11 10:21 编辑 思虑很久，感觉自己也应该发点帖子，如果不合规请管理员删除。 我看很多人问CP2K计算能带的问题。为此，我想开一个帖子，讲一下我自己算能带的简单方法。 开讲之 ... |
Fantasy 发表于 2026-5-31 00:16 可以的，脚本本质上是用 vaspkit 自动生成能带并写入 CP2K 输入文件里，跟 +U 没关系，你想 +U 的话在 CP2K 里添加相应的关键词即可。 |
| 参与人数Participants 1 | eV +5 | 收起 理由Reason |
|---|---|---|
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| + 5 | 我很赞同 |
| 请问如果要使用DFT+U的话 还能用这种方法算能带吗 |
logzzz 发表于 2026-3-10 22:10 浅薄认识，  ，共同探讨提高 |
ligaopeng 发表于 2026-3-10 15:22 感谢，感谢。确实忘记考虑这个事情了。我更新一下脚本，可以把vaspkit生成的K点文件中的结构进行一次替换，这样应该就能保证没问题了。 |
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本帖最后由 ligaopeng 于 2026-3-10 19:48 编辑 你好，对于你的Kcg脚本我提出一个疑问， vaspkit手册中提到 “执行cp PRIMCELL.vasp POSCAR命名。KPATH.in推荐能带路径只针对于PRIMITIVE CELL，缺少这一步，你可能得到错误的结果。如果有必要，比较KPATH.in文件中的能带路径是否与在线能带路径产生工具SeeK-Path产生的一致，包括比较PRIMCELL.vasp和HIGH_SYMMETRY_POINTS文件。需要指出的是SeeK-Path只用于体相结构能带路径的产生” 对此我对您的脚本进行了测试（使用CdO晶体），发现对于一些使用conventional Cell进行计算的时候，脚本产生的K点路径是对于PRIMITIVE CELL的，因此，建议用PRIMCELL.vasp中的结构信息替换掉新生成的.inp输入文件中的结构信息是有必要的 |
| 非常感谢！ |
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非常感谢！ |
lywbanner 发表于 2026-2-2 23:03 二维 |
| 谢谢分享！！！！请教一下，对于slab模型，高对称K点 选二维还是三维？ |
logzzz 发表于 2025-12-1 20:47 谢谢，按照您的帖子已经正常算完了，真的很方便 |
我爱学习2022 发表于 2025-11-27 17:38 当然需要了。 |
| 您好，请问在算能带之前需要进行结构优化吗 |
于浩 发表于 2025-6-18 19:31 multiwfn band.bs → cp → 2 然后看屏幕输出，就有带隙值和间接还是直接。 |
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问一下带隙怎么看啊 不知道哪个文件能看 |
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