xxxhhh 发表于 2024-5-9 09:11
我们都是相同金属进行吸附，只不过是金属位置不同，切同样的面，切出来的基底不同

应该使用比较稳定的截止类型，咱们不是加好友了吗，可以把你和他的照片发我看看

xxxhhh 发表于 2024-5-9 09:11
我们都是相同金属进行吸附，只不过是金属位置不同，切同样的面，切出来的基底不同

我明白了，你们是有不同的晶面截止对吧，比如他是A截止，你是B截止

123wo 发表于 2024-5-9 08:54
吸附位点有没有可能得话，他的才是最稳定的

我们都是相同金属进行吸附，只不过是金属位置不同，切同样的面，切出来的基底不同

xxxhhh 发表于 2024-5-8 20:41
我们算的是ORR体系，一套参数和我同门一样，就是体系里面金属位置不一样，切的同一个面，她的就能得到校 ...

吸附位点有没有可能得话，他的才是最稳定的

MBCY 发表于 2024-5-8 20:00
我是算CO2RR体系正常，HER就报错，换了好几个样品计算都是如此，很费解

我们算的是ORR体系，一套参数和我同门一样，就是体系里面金属位置不一样，切的同一个面，她的就能得到校正能，我的就一直错

xxxhhh 发表于 2024-5-8 09:46
没有呢，算了好几个都是这样情况，我觉得可能是结构优化没优化好？

我是算CO2RR体系正常，HER就报错，换了好几个样品计算都是如此，很费解

123wo 发表于 2024-5-8 19:41
可以看看OUTCAR里面有没有显示结构优化成功了 reached required accuracy，这样照你说来，我觉得还真有可 ...

优化是都成功的，就是算频率时候都失败

xxxhhh 发表于 2024-5-8 19:29
EDIGG=10*-7。会不会是结构优化就没有优化到全局最小点呢。但是ORR过程中吸附O这些的都算了，没有一个成 ...

可以看看OUTCAR里面有没有显示结构优化成功了 reached required accuracy，这样照你说来，我觉得还真有可能没正常优化好呢

xxxhhh 发表于 2024-5-8 19:29
EDIGG=10*-7。会不会是结构优化就没有优化到全局最小点呢。但是ORR过程中吸附O这些的都算了，没有一个成 ...

是EDIFF吧

123wo 发表于 2024-5-8 16:54
按道理这样的简单吸附物的话不会有这样的虚频啊。对了计算频率的时候使用额EDIFF是多少啊

EDIGG=10*-7。会不会是结构优化就没有优化到全局最小点呢。但是ORR过程中吸附O这些的都算了，没有一个成功的

xxxhhh 发表于 2024-5-8 15:17
在优化时候就把基底全固定了只放开了O，OH，OOH这些吸附分子，但是freq就是好几个很大虚频

按道理这样的简单吸附物的话不会有这样的虚频啊。对了计算频率的时候使用额EDIFF是多少啊

123wo 发表于 2024-5-8 14:50
要是校正吸附物，固定基底就好了

在优化时候就把基底全固定了只放开了O，OH，OOH这些吸附分子，但是freq就是好几个很大虚频

xxxhhh 发表于 2024-5-8 09:48
没有，有好几个很大的虚频。问了一下，有大佬可能觉得我这个基底就不稳定，可能得先算个声子？

要是校正吸附物，固定基底就好了

xxxhhh 发表于 2024-5-8 09:48
没有，有好几个很大的虚频。问了一下，有大佬可能觉得我这个基底就不稳定，可能得先算个声子？

不是校正吸附物或者气体分子对吗