计算化学公社

 找回密码 Forget password
 注册 Register

求助:Vasp计算In2O3ELF图,表面氧空位电子离域

查看数: 584 | 评论数: 2 | 收藏 Add to favorites 0
关灯 | 提示:支持键盘翻页<-左 右->
    组图打开中,请稍候......
发布时间: 2024-5-20 21:51

正文摘要:

本帖最后由 让风推动帆船 于 2024-5-21 09:11 编辑 用Vasp计算了一个Co-Vo-In2O3表面的ELF,想看看表面氧空位与钴原子之间是否存在电子传输通道(看别人文章的思路,见下图) 这是INCAR的设置参数   ...

回复 Reply

让风推动帆船 发表于 Post on 2024-5-21 00:47:27
本帖最后由 让风推动帆船 于 2024-5-21 00:52 编辑
sobereva 发表于 2024-5-21 00:32
体系自身的差异,或者计算级别的差异,或者其它设定差异(净电荷等)
排除前者可能,先去重复文献里相应体 ...

好的,谢谢sob老师,按照您的回复,我排除一下问题。非常感谢。
sobereva 发表于 Post on 2024-5-21 00:32:09
体系自身的差异,或者计算级别的差异,或者其它设定差异(净电荷等)
排除前者可能,先去重复文献里相应体系
排除后者可能,用文献里相同计算级别,特别是泛函。注意纯泛函容易导致电子过度离域,可考虑杂化泛函(VASP杂化泛函是否算得动我不清楚,CP2K用杂化泛函算这种规模的体系轻轻松松)

手机版 Mobile version|北京科音自然科学研究中心 Beijing Kein Research Center for Natural Sciences|京公网安备 11010502035419号|计算化学公社 — 北京科音旗下高水平计算化学交流论坛 ( 京ICP备14038949号-1 )|网站地图

GMT+8, 2024-11-24 15:58 , Processed in 0.176253 second(s), 26 queries , Gzip On.

快速回复 返回顶部 返回列表 Return to list